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怎麽避免麻豆国产一区過載損壞
2019-12-06
怎麽(me) 避免麻豆国产一区過載損壞麻豆国产一区作為(wei) 一種基礎電子元器件，所有工程師都知道其具有單向導電性。根據半導體(ti) 材料分類，可分為(wei) 矽麻豆国产一区和鍺麻豆国产一区
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繼電器為什麽要並聯麻豆国产一区
2019-12-06
繼電器為(wei) 什麽(me) 要並聯麻豆国产一区電感和電感器電感（inductor）是一個(ge) 繞在磁性材料上的導線線圈（coil），電感通以電流時產(chan) 生磁場（magnetic fiel
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怎麽借助雪崩麻豆国产一区提供過壓保護
2019-12-06
怎麽(me) 借助雪崩麻豆国产一区提供過壓保護當IGBT在高性能應用中高速接通和斷開時，總會(hui) 發生過壓。例如，當關(guan) 閉負載電流電路時，集電極 - 發射極電
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開關電源中開關管與麻豆国产一区EMI抑製方法分析
2019-12-06
開關(guan) 電源中開關(guan) 管與(yu) 麻豆国产一区EMI抑製方法分析1、引言電磁幹擾(EMI)就是電磁兼容不足,是破壞性電磁能從(cong) 一個(ge) 電子設備通過傳(chuan) 導或輻射到另一個(ge) 電子
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續流麻豆国产一区在開關電源的作用
2019-12-06
續流麻豆国产一区在開關(guan) 電源的作用引言續流麻豆国产一区都是並聯在線圈的兩(liang) 端，線圈在通過電流時，會(hui) 在其兩(liang) 端產(chan) 生感應電動勢。當電流消失時，其感應電動
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穩壓麻豆国产一区限流電阻怎麽選擇
2019-12-06
穩壓麻豆国产一区限流電阻怎麽(me) 選擇概述穩壓麻豆国产一区，英文名稱Zener diode，又叫齊納麻豆国产一区 。穩壓麻豆国产一区可以串聯起來以便在較高的電壓上使用，通
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大功率IGBT模塊內建麻豆国产一区反向恢複時間測試
2019-12-06
大功率IGBT模塊內(nei) 建麻豆国产一区反向恢複時間測試IGBT模塊很貴，主要廠家為(wei) 國外的廠家，日韩国产成人不得不承認，這個(ge) 模塊基本是被國外的廠家所壟斷！即使
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麻豆国产一区的基礎知識資料
2019-12-05
麻豆国产一区的基礎知識資料基本概念：麻豆国产一区由管芯、管殼和兩(liang) 個(ge) 電極構成。管芯就是一個(ge) PN結，在PN結的兩(liang) 端各引出一個(ge) 引線，並用塑料、玻璃或金屬
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TVS麻豆国产一区的應用與分析
2019-12-05
TVS麻豆国产一区的應用與(yu) 分析瞬態電壓抑製器（TVS）具有響應時間快、瞬態功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控製、無損壞極限、體(ti) 積
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LED發光麻豆国产一区的主要參數與結構介紹
2019-12-05
LED發光麻豆国产一区的主要參數與(yu) 結構介紹日韩国产成人知道，LED芯片的主要功能是：可以直接把電轉化為(wei) 光，它可以說是LED的心髒。本文簡單介紹了LED芯片的
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肖特基麻豆国产一区的鉗位
2019-12-05
肖特基麻豆国产一区的鉗位下圖為(wei) 一個(ge) 分立器件搭建的BUCK電路，但是不明白圖中的兩(liang) 個(ge) 肖特基麻豆国产一区（D1 D2）的作用是什麽(me) 8 3 2 肖特基箍位提高晶體(ti)
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麻豆国产一区的電容效應-等效電路與開關特性
2019-12-05
麻豆国产一区的電容效應-等效電路與(yu) 開關(guan) 特性一、麻豆国产一区的電容效應麻豆国产一区具有電容效應。它的電容包括勢壘電容CB和擴散電容CD。1 勢壘電容CB(Cr)PN