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單向半波可控整流電路加續流麻豆国产一区是為什麽
2019-12-11
單向半波可控整流電路加續流麻豆国产一区是為(wei) 什麽(me) 單向半波可控整流帶大電感負載，在負半周可控矽截止時，電感負載會(hui) 產(chan) 生很高的反向感應電動勢，此
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快恢複麻豆国产一区耗散功率的計算公式
2019-12-11
快恢複麻豆国产一区耗散功率的計算公式在線性條件下，導通的耗散功率計算比較簡單，PD=I2R,或者PD=U2 R。在開關(guan) 狀態下，計算相對比較複雜。1 如果
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快軟恢複麻豆国产一区是什麽
2019-12-11
快軟恢複麻豆国产一区是什麽(me) 快速軟恢複麻豆国产一区是一種具有快速開通和高速關(guan) 斷能力，即具有短的反向恢複時間trr，較小的反向恢複電流IRRM和軟恢複特
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麻豆国产一区在PFC電路中的保護作用是什麽
2019-12-11
麻豆国产一区在PFC電路中的保護作用是什麽(me) 為(wei) 了提高電網的功率因數，減少幹擾，平板電視的大多數電源都采用了有源PFC電路，盡管電路的具體(ti) 形式繁多
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怎麽選擇最適宜的麻豆国产一区
2019-12-11
怎麽(me) 選擇最適宜的麻豆国产一区單相PFC電路輸入電壓為(wei) 交流230V，電流為(wei) 7A，輸入標準功率為(wei) 1 6kW。為(wei) 了簡化計算，日韩国产成人認為(wei) 電流波形為(wei) 矩形波，占空比
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快恢複麻豆国产一区選用需要注意什麽
2019-12-10
快恢複麻豆国产一区選用需要注意什麽(me) 半導體(ti) 器件（以下簡稱器件）的質量問題，不僅(jin) 有器件本身所固有的質量和可靠性問題，也有由於(yu) 用戶選擇或使用不
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肖特基和快恢複麻豆国产一区哪個恢複時間更快
2019-12-10
肖特基和快恢複麻豆国产一区哪個(ge) 恢複時間更快肖特基是金屬和半導體(ti) 結束形成的勢壘麻豆国产一区，用多數載流子導電，其反相飽和電流較以少數載流子導電的
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快恢複麻豆国产一区參數對封裝選擇會有影響嗎
2019-12-10
快恢複麻豆国产一区參數對封裝選擇會(hui) 有影響嗎快恢複麻豆国产一区分別有TO-220AB（鐵封）、TO-220AB（塑封）、TO-247、TO-252、TO-263等封裝。快恢複二極
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哪一些參數影響快恢複麻豆国产一区選型
2019-12-10
哪一些參數影響快恢複麻豆国产一区選型選用快恢複麻豆国产一区時，主要應考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢複時間等參數。（1）
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碳化矽和矽材料器件的優勢區別有哪些
2019-12-10
碳化矽和矽材料器件的優(you) 勢區別有哪些碳化矽功率器件的研發始於(yu) 20世紀90年代，目前已成為(wei) 新型功率半導體(ti) 器件研究開發的主流。業(ye) 界普遍認為(wei) 碳
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MPS麻豆国产一区是什麽
2019-12-10
MPS麻豆国产一区是什麽(me) 肖特基麻豆国产一区具有良好的反向恢複特性，但是其擊穿電壓較低；傳(chuan) 統PIN麻豆国产一区具有較高的擊穿電壓，但其反向恢複特性差。因此，
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增強型MOS管和耗盡型MOS管有什麽區別
2019-12-10
增強型MOS管和耗盡型MOS管有什麽(me) 區別場效應管分為(wei) 結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩(liang) 大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道