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MOS的6大失效原因與解決方案
2020-03-11
MOS的6大失效原因與(yu) 解決(jue) 方案MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(ti) (semiconductor)場效應晶體(ti) 管，或者稱是金屬—絕緣體(ti) (insulator)—
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MOS管半導體的函數差-半導體的函數是怎麽定義的
2020-03-11
MOS管半導體(ti) 的函數差-半導體(ti) 的函數是怎麽(me) 定義(yi) 的SiOz-SiMoS麻豆国产一区對所有的MOS麻豆国产一区而言，金屬—Si02 -Si為(wei) 最受廣泛研究．Si0—Si係統的電
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雙極型晶體管半導體圖
2020-03-10
雙極型晶體(ti) 管半導體(ti) 圖晶體(ti) 管（是轉換電阻transfer rcsistor的縮寫(xie) ）是一個(ge) 多重結的半導體(ti) 器件，通常晶體(ti) 管會(hui) 與(yu) 其他電路器件整合在一起，以
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可控矽器件與相關功率器件
2020-03-10
可控矽器件與(yu) 相關(guan) 功率器件可控矽器件是一種非常重要的功率器件，可用來作高電壓和高電流的控製．可控矽器件主要用在開關(guan) 方麵，使器件從(cong) 關(guan) 閉
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快恢複麻豆国产一区與超快恢複麻豆国产一区的開關電源
2020-03-10
快恢複麻豆国产一区與(yu) 超快恢複麻豆国产一区的開關(guan) 電源快恢複及超快恢複極管在開關(guan) 電源二次側(ce) 的輸出整流電路中，一般選用反向恢複時悶較短的整流麻豆国产一区，
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推挽式開關電源原理圖
2020-03-10
推挽式開關(guan) 電源原理圖簡介在雙激式開關(guan) 電源中，推挽式開關(guan) 電源是最常用的開關(guan) 頻率電源。因為(wei) 推挽式開關(guan) 電源中的兩(liang) 個(ge) 操控開關(guan) 管K1 和輪流替
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晶體管的驅動MOSFET管知識
2020-03-10
晶體(ti) 管的驅動MOSFET管知識MOSFET管柵極驅動電路如上所述 ，柵極驅動電路必須能輸出電流 ，即成為(wei) 源。同時，為(wei) 了提供柵極反向電壓，MO
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驅動雙極型晶體管的電路圖
2020-03-10
驅動雙極型晶體(ti) 管的電路圖其他類型的基極驅動電路在過去的幾年裏 ，出現了許多專(zhuan) 門用於(yu) 驅動雙極型晶體(ti) 管的電路 。它們(men) 大多應用於(yu) 低功率場
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雙極型晶體管的直流增益曲線圖
2020-03-10
雙極型晶體(ti) 管的直流增益曲線圖對於(yu) MOS管雙極型晶體(ti) 管 ，由於(yu) 電流增益隨輸出電流的上升急劇下降 ，當輸出電流顯著增加時， 其基極電流的
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MOSFET柵極電壓圖
2020-03-09
MOSFET柵極電壓圖漏極電流上升和下降太快會(hui) 在地線和電源線上引起較大的 Ldi dt 尖峰電壓並在鄰近的線路或節點上輯合出大的 CdV dt j良
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應用磁放大器關斷輔輸圖
2020-03-09
應用磁放大器關(guan) 斷輔輸出迄今為(wei) 止 ，磁放大器隻是用來調理輔輸出電壓 。它經過控製初始磁通密度 Bl 來控製輸 出。Bl 越低，關(guan) 斷時間
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弦半波電壓圖
2020-03-09
弦半波電壓圖開關(guan) 頻率和 Ll 電感值的計算在圖 15 12 C c） 中，當Ql 導通時，L1 的電壓為(wei) 飛 ，電感 L1 的電流按斜率 dl f dt