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三電平全橋LLC電路原理解析三相模塊的母線電壓可以達到800V,如果DCDC仍然采用傳(chuan) 統的兩(liang) 電平拓撲,那麽(me) DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。
怎麽(me) 判斷NMOS管與(yu) PMOS管MOS管的管腳有三個(ge) :源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain),但是實際工程應用中,經常無法區分PMOS管和NMOS管、
電平轉換電路怎麽(me) 實現VDD和MCU之間串口通信先說一說這個(ge) 電路的用途:當兩(liang) 個(ge) MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1工作電壓5V;MCU2工作電壓3 3
GS寄生電容的缺點介紹如下是一個(ge) NMOS 的開關(guan) 電路,階躍信號 VG1 設置 DC 電平 2V,方波(振幅 2V,頻率 50Hz),T2 的開啟電壓
NMOS場效應管與(yu) PMOS場效應管防反保護解析直流供電產(chan) 品在係統高可靠性要求下防反接保護是重要保護之一,麻豆国产一区的單向導通特性使麻豆国产一区作為(wei) 了
2N7002電平轉換電路的工作過程介紹如圖所示是常用的分立器件搭的電平轉換電路,具體(ti) 工作過程如下:1、當Net1輸出高電平時,MOS管Q1的Vgs=0
NMOS管的工作原理與(yu) 導通特性介紹NMOS英文全稱為(wei) N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為(wei) N型金屬-氧化物-半導體(ti) ,而擁有這種結構的晶體(ti) 管日韩国产成人
開關(guan) 管,麻豆国产一区,穩壓反饋回路原理解析開關(guan) 管的選擇一般選用N 型mos管作為(wei) 開關(guan) 管(下圖為(wei) 電流波形)漏源間擊穿電壓:在開關(guan) 管截止時,將會(hui) 承
嵌入式硬件開發中MOS管保護方法介紹在電路應用中日韩国产成人涉及到的一個(ge) 問題就是電源的保護,往往在保護MOS管方麵需要特別注意。這裏就是典型的電
電路設計基礎之MOSFET管開關(guan) 電路介紹對於(yu) MOS管,日韩国产成人在電路設計中都會(hui) 遇到,那麽(me) 應該如何設計一個(ge) MOS管的開關(guan) 電路呢?日韩国产成人一般會(hui) 用一個(ge) 三極
三極管是怎麽(me) 實現電子開關(guan) 功能的三極管的基本原理三極管和MOS管都可以作為(wei) 電子開關(guan) 使用,三極管屬於(yu) 電流控製元器件,跟MOS管不同,MOS管屬
MOS晶體(ti) 管的工作原理介紹MOS管的全稱是金屬氧化物半導體(ti) 場效應晶體(ti) 管。如圖所示這是一個(ge) N溝道的MOS晶體(ti) 管,一共有三個(ge) 級,漏極,柵極、源極