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MOS電容器工作原理介紹
2020-11-23
MOS電容器工作原理介紹MOS電容器工作原理：電荷的收集MOS電容器是所有MOS(金屬-氧化物-半導體(ti) )結構中最簡單的，它是CCD的構成基礎;弄清楚這
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MOS管知識|MOS管功率損耗怎麽測試
2020-11-23
MOS管知識|MOS管功率損耗怎麽(me) 測試MOS管功率損耗如何測試功率放大電路是一種以輸出較大功率為(wei) 目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓
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MOS管結構|MOS管的IVcure解析介紹
2020-11-23
MOS管結構|MOS管的IVcure解析介紹MOS管的結構以N溝道橫向MOS管為(wei) 例，其結構如下圖所示，在P型半導體(ti) 表麵有一層薄膜氧化膜，氧化膜上再鍍一
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詳解MOS管的米勒效應,圖文詳解
2020-11-23
詳解MOS管的米勒效應,圖文詳解MOS管的米勒效應如下是一個(ge) NMOS的開關(guan) 電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電
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MOS管開關頻率-分析MOS管開關頻率測算的問題
2020-11-23
MOS管開關(guan) 頻率-分析MOS管開關(guan) 頻率測算的問題MOS管開關(guan) 頻率測算MOS管在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩(liang) 端的電壓有一個(ge) 下降
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功率MOS管參數-Vdss的溫度特性詳情分析
2020-11-23
功率MOS管參數-Vdss的溫度特性詳情分析功率MOS管參數-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。 為(wei) 什麽(me) MSOFET的VDS耐壓
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MOS管燒壞的原因-分析MOS管為什麽會被燒毀
2020-11-23
MOS管燒壞的原因-分析MOS管為(wei) 什麽(me) 會(hui) 被燒毀MOS管在控製器電路中的工作狀態:開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關(guan) 斷過程（由導
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逆變器mos管發熱嚴重有四個原因與如何解決
2020-11-21
逆變器mos管發熱嚴(yan) 重有四個(ge) 原因與(yu) 如何解決(jue) 逆變器mos管發熱嚴(yan) 重的原因逆變器的場效應管工作於(yu) 開關(guan) 狀態，並且流過管子的電流很大，若管子選型
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MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見有五種與分析
2020-11-21
MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見有五種與(yu) 分析MOS管損壞原因最常見有五種第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電湧電壓
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MOS管開關電路圖(八款MOS管開關電路圖設計)介紹
2020-11-21
MOS管開關(guan) 電路圖(八款MOS管開關(guan) 電路圖設計)介紹MOS管開關(guan) 電路圖方式MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被製造成增
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MOS管與三極管區別-分析MOS管和三極管原理圖對比
2020-11-21
MOS管與(yu) 三極管區別-分析MOS管和三極管原理圖對比MOS管和三極管原理圖對比分析在電路設計當中假設日韩国产成人想要對電流中止控製，那就少不了三極管
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保護板MOS管燒壞-保護板MOS測試裂開或燒毀原因介紹
2020-11-21
保護板MOS管燒壞-保護板MOS測試裂開或燒毀原因介紹一、鋰電池保護板MOS管測試過程中裂開是否會(hui) 燒毀鋰電池保護板測試時MOS管裂開不會(hui) 燒毀，