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穩壓麻豆国产一区的主要參數,穩壓麻豆国产一区工作原理與(yu) 作用壓麻豆国产一区又稱齊納麻豆国产一区,英文名稱為(wei) :Zenerdiode,是麻豆国产一区中常用的一種,利用pn結反向擊
麻豆国产一区的特性與(yu) 標識介紹肖特基麻豆国产一区肖特基(Schottky)麻豆国产一区,又稱肖特基勢壘麻豆国产一区(簡稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體(ti) 器件。
半導體(ti) 的導電原理詳細分析半導體(ti) 導電原理不含雜質的半導體(ti) 稱為(wei) 本征半導體(ti) 。半導體(ti) 矽和鍺的最外層電子有四個(ge) ,故而稱它為(wei) 四價(jia) 元素,每一個(ge) 外
靜態電流IQ的意義(yi) ,怎麽(me) 從(cong) 本質上理解IQ 在電源人的概念裏是靜態電流的簡稱,其中的 I 代表的是電流即 Current,而 Q 則是 Quiescent
繼電器驅動電路中的麻豆国产一区保護電路,故障怎麽(me) 分析與(yu) 處理繼電器內(nei) 部具有線圈的結構,所以它在斷電時會(hui) 產(chan) 生電壓很大的反向電動勢,會(hui) 擊穿繼電
4個(ge) 信號端接法-CMOS與(yu) PECL端接電路解析時鍾信號衰減會(hui) 增加抖動,因此對驅動器輸出的端接很重要。為(wei) 了避免抖動和時鍾質量降低的不利影響,需
基於(yu) MOSFET轉換器的低成本雙元件穩壓電路設計方案介紹如果 5V 輸入的 VIH 比 3 3V CMOS 器件的 VOH 要高,則驅動任何這樣的 5V
基於(yu) IRF7201 MOSFET的5V轉3 3V開關(guan) 電源電路設計介紹在選擇與(yu) 3 3V 單片機配合使用的外部 N 溝道MOSFET 時,一定要小心。MOSFET 柵極
電流倒灌,熱插拔設計,過流保護的需注事項介紹實際設計時麵臨(lin) 的問題、考慮的因素比這裏列出的多得多。羅馬不是一天建成的,所以需要日積月累
單電源運放與(yu) 雙電源運放的區別是什麽(me) 日韩国产成人經常看到很多非常經典的運算放大器應用圖集,但是這些應用都建立在雙電源的基礎上,很多時候,電路
分壓式自偏壓電路圖解上圖所示為(wei) 分壓式自偏壓電路又稱柵極接正電位偏置電路,它是在自給偏壓共源放大電路的基礎上,加上分壓電阻器R和R蛇構
感應保護型安全電源插座電路圖介紹實際生活中,由於(yu) 拔插電源插頭不慎觸及到插頭的金屬部分,造**身傷(shang) 害或受到電擊的事故時有發生,為(wei) 了保證