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實用的過欠壓防反接多功能保護電路介紹在電網中,由於(yu) 大功率負載關(guan) 閉等動作,會(hui) 導致供電電網電壓產(chan) 生很高的過壓浪湧,這可能造成設備因為(wei) 輸
幾種負電壓電源設計方案詳解在設計電路時,日韩国产成人可能會(hui) 遇到需要負電壓供電的係統,例如使用負電壓為(wei) IGBT提供關(guan) 斷負電壓、運放係統中用正負對
怎麽(me) 提高隔離式電源的效率在大多數降壓調節器的典型應用中,使用有源開關(guan) 而非肖特基麻豆国产一区是標準做法。這樣能大大提高轉換效率,尤其是產(chan) 生
正確對比了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chan) 生的變化由於(yu) 導通電阻的溫度係數較低,SiC MOSFET似乎占據了優(you) 勢,但是這一指標也代表著與(yu) UnitedSiC
SiC MOSFET柵極驅動電路與(yu) 導通 關(guan) 斷動作詳解SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路LS(低邊)側(ce) SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的
SiC MOSFET低邊開關(guan) 導通時Gate-Source間電壓的動作介紹當SiC MOSFET的LS導通時,首先ID會(hui) 變化(下述波形示意圖T1)。此時LS的ID沿增加方
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使用MOSFET與(yu) 額外的肖特基麻豆国产一区減少幹擾解析在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高邊和低邊有源開關(guan) 已被廣泛使用。圖1顯示了具有理
ON狀態下的MOSFET與(yu) 三極管有何區別介紹MOSFET是一種在模擬電路和數字電路中都應用的非常廣泛的一種場效晶體(ti) 管。一般是金屬(metal)—氧化物(
正確理解驅動電流和驅動速度詳解測試對比以下通過實測兩(liang) 款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來說明驅動電流建立時間對驅動速度的影響。表格1對比