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N溝道MOS管飽和區,邏輯門電路詳解
2022-11-19
N溝道MOS管飽和區,邏輯門電路詳解導電溝道機理：如果外部不加控製電壓就有導電溝道的是耗盡型。如果需要外部加控製電壓才有導電溝道的是增
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共源級MOS管飽和區小信號增益解析
2022-11-19
共源級MOS管飽和區小信號增益解析作為(wei) 放大器，其最重要的功能就是在大信號的支持下且保證一定精度時強調對小信號的增益。本文介紹一個(ge) 公式
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MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹
2022-11-19
MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹如何降低供電電壓下麵電路就是利用一顆N溝道MOS管來實現上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動之後，輸出低電壓
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MOSFET測試,什麽是雙脈衝測試解析
2022-11-18
MOSFET測試,什麽(me) 是雙脈衝(chong) 測試解析通過雙脈衝(chong) 測試來評估MOSFET體(ti) 麻豆国产一区的反向恢複特性，並確認MOSFET損耗情況。MOSFET體(ti) 麻豆国产一区的反向恢複特
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雙脈衝測試電路原理及波形示意圖介紹
2022-11-18
雙脈衝(chong) 測試電路原理及波形示意圖介紹功率器件的很多動態參數可以從(cong) 器件的數據手冊(ce) 中獲取，但是器件手冊(ce) 隻給出特定測試條件下的動態參數。當
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MOSFET失效模式,dv/dt失效是什麽
2022-11-18
MOSFET失效模式,dv dt失效是什麽(me) dv dt失效是MOSFET關(guan) 斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體(ti) 管導通而引起短路從(cong) 而造
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dV/dt對MOSFET動態性能的影響介紹
2022-11-17
dV dt對MOSFET動態性能的影響介紹MOSFET的dv dt是指開關(guan) 瞬態過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv dt太大，可能發生振鈴，進而可能導致MOS
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MOSFET di/dt與dv/dt分開控製方法介紹
2022-11-17
MOSFET di dt與(yu) dv dt分開控製方法介紹功率 MOSFET 的開關(guan) 過程功率 MOSFET 的開通過程中可以分為(wei) 4 個(ge) 階段，關(guan) 斷過程的基本原理和開
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米勒效應對MOSFET開關過程有什麽影響嗎
2022-11-17
米勒效應對MOSFET開關(guan) 過程有什麽(me) 影響嗎下麵以圖10中電機控製電路來說明米勒效應對MOSFET開通關(guan) 斷過程的影響。在圖10控製電路中，上管導通時
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MOS管選型,MOSFET應用方案解析
2022-11-16
MOS管選型,MOSFET應用方案解析MOSFET應用案例解析1、開關(guan) 電源應用從(cong) 定義(yi) 上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關(guan) 斷。同時，有數十種拓撲可
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MOSFET的門源極並聯電容介紹
2022-11-16
MOSFET的門源極並聯電容介紹MOSFET門源極並聯電容後，開關(guan) 可靠性得到提升開關(guan) 電路如下圖：電路解釋1 該電路用於(yu) 高邊開關(guan) ，當MOS_ON 網絡拉
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電路設計,過熱保護電路圖介紹
2022-11-16
電路設計,過熱保護電路圖介紹過熱保護電路圖（一）原理電路是以電機過熱保護為(wei) 例，由PTC熱敏電阻和施密特電路構成的控製電路。圖中，RT1、R