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輸入阻抗和輸出阻抗,計算詳解
2023-01-30
輸入阻抗和輸出阻抗,計算詳解計算方法輸入阻抗：通過在輸入端加上一個(ge) 電壓源U，測試輸入端的電流I，則輸入阻抗Rin=U I。輸入阻抗越大越好，
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MOSFET驅動參數,最小門極電阻計算介紹
2023-01-30
MOSFET驅動參數,最小門極電阻計算介紹在《IGBT以及MOSFET的驅動參數的計算方法》該應用指南中由 Eq 6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩
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MOS管柵極和源極之間為什麽要加一個電阻
2023-01-30
MOS管柵極和源極之間為(wei) 什麽(me) 要加一個(ge) 電阻MOS管柵極與(yu) 源極加電阻作用1、為(wei) MOSFET提供一個(ge) 供電，經過電阻分壓從(cong) 而得到分壓值，也即所謂的提供
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柵極電阻,柵源電阻作用介紹
2023-01-29
柵極電阻,柵源電阻作用介紹柵極電阻H橋的mos管柵極電阻1 減緩Rds從(cong) 無窮大到Rds(on)(一般0 1歐姆或者更低)。2 若不加R39電阻，高壓情況下便
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MOS管參數計算,vth,UnCox計算詳解
2023-01-29
MOS管參數計算,vth,UnCox計算詳解一個(ge) MOS電路計算的話，有兩(liang) 個(ge) 參數是比較重要的。一個(ge) 是vth，一個(ge) 是UnCox。不考慮其他效應。那有一個(ge) 工藝庫
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開關電源元件參數中英文對照表介紹
2023-01-29
開關(guan) 電源元件參數中英文對照表介紹開關(guan) 電源元件-MOS管參數中英文開關(guan) 電源元件-肖特基麻豆国产一区參數中英文開關(guan) 電源元件-麻豆国产一区參數中英文開關(guan) 電
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電源芯片工作溫度的計算,參數含義介紹
2023-01-03
電源芯片工作溫度的計算,參數含義(yi) 介紹參數基本定義(yi) TJ：芯片結溫（Die junction temperature, °C）TC：芯片封裝表麵溫度（Package c
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電源芯片溫升計算介紹
2023-01-03
電源芯片溫升計算介紹什麽(me) 是芯片溫度？芯片溫度是指晶體(ti) 管芯片本身的溫度Tj（結溫）。芯片溫度Tj是周圍（環境）溫度Ta與(yu) 芯片發熱量相加後的
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半導體器件的結溫理解解析
2023-01-03
半導體(ti) 器件的結溫理解解析結溫（Junction Temperature）結溫是處於(yu) 電子設備中實際半導體(ti) 芯片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高於(yu) 外殼溫
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MOS管參數,TJ,TA,TC的計算介紹
2023-01-02
MOS管參數,TJ,TA,TC的計算介紹MOS管TJ、TA、TC一般情況下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*RjaP是芯片最大的功耗Rjc是結殼間的熱阻Rja表示結與(yu) 環
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PMOS管作電源開關注意事項,開關速度過快解析
2023-01-02
PMOS管作電源開關(guan) 注意事項,開關(guan) 速度過快解析PMOS管用作電源開關(guan) 注意事項：PMOS管作電源開關(guan) 時因開關(guan) 速度過快導致電源被拉下。在電路中用到
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電源電路,PMOS防浪湧抑製電路解析
2023-01-02
電源電路,PMOS防浪湧抑製電路解析防浪湧抑製電路分析電路原理下圖是PMOS防浪湧電路的簡化原理圖。首先說為(wei) 什麽(me) 采用PMOS,因為(wei) 負壓開通，可與(yu)