傳(chuan) 真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區振中路84號愛華科研樓7層
DCDC上電時電壓輸出尖峰電壓介紹DCDC上電時電壓輸出尖峰電壓案例:在使用XL1509-5 0E時發現,當電源在上電瞬間會(hui) 出現一個(ge) 上升到 8V的尖峰
電源回溝現象詳解電源回溝現象電源回溝是由於(yu) 上電時序以及負載等導致的;但是信號線的回溝是信號完整性問題。電源回溝上圖所示,正常情況下
電壓源逆變器的死區現象介紹電壓源逆變器的死區現象為(wei) 了防止電壓源逆變器的上下開關(guan) 管同時導通,故在開關(guan) 管的切換時存在一段上下橋臂均關(guan) 閉
PWM死區簡介,作用介紹什麽(me) 是死區時間?PWM是脈衝(chong) 寬度調製,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電
PWM互補輸出,死區時間計算介紹死區時間計算方式詳解配置PWM互補輸出的死區時間,本質上就是在配置TIM1高級控製定時器的刹車和死區寄存器(T
推挽變換器漏感電壓尖峰詳解推挽,在國內(nei) 逆變行業(ye) 無處沒有它的身影,最多的還是車載逆變器。由於(yu) 其電路簡單,功率管數量少,占用PCB空間也
DCDC電源負載瞬態測試介紹下圖是某DCDC轉換器負載瞬態測試的典型波形,CH3為(wei) 輸出電壓的AC分量,CH4為(wei) 負載電流。注意到負載電流上升斜率與(yu) 下
解決(jue) 開關(guan) 電路振鈴現象,緩衝(chong) 器設計介紹在高頻開關(guan) 變換器中,處理開關(guan) 噪聲是設計人員共同麵臨(lin) 的挑戰。特別是高邊場效應晶體(ti) 管導通時,低側(ce) MOS
MOS管應用,原邊振鈴控製介紹反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會(hui) 引起原邊振鈴,並導致會(hui) 損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此,通過變
MOSFET與(yu) IGBT的選型要點,應用解析IGBT與(yu) MOSFET分析、選型、應用MOSFET和IGBT均為(wei) 集成在單片矽上的固態半導體(ti) 器件,且都屬於(yu) 電壓控製器件。
隔離式柵極驅動器的四個(ge) 特性詳解在功率電子(例如驅動技術)中,IGBT、MOSFET經常用作高電壓和高電流開關(guan) 。這些功率晶體(ti) 管由電壓控製,其主
雙極性方法驅動柵極驅動器圖文介紹如果一個(ge) 特殊的功率器件需要正負柵極驅動,電路設計人員無需特別尋找可進行雙極性操作的特殊柵極驅動器。