烜芯微生產SI2319場效應管,提供SI2319的參數規格書,SI2319中文資料與SI2319場效應管的引腳圖
SI2319場效應管參數具體如下：
極性：PNP
Power Dissipation(w)功耗：1.2W
Continuous Drain Current ID(A)持續漏極電流：-4A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓：-40V
Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓：±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓：-1.2~-2.5V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓：-1.2~-2.5V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=-5A,VGS=-10V：Typ 63mΩ Max 85mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導通電阻ID=-4A,VGS=-4.5V：Typ 80mΩ Max 125mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：結和儲存溫度範圍：-55 to 150℃
SI2319場效應管封裝為：SOT-23
作用與應用
SI2319場效應管的核心作用是作為電子開關使用。在電路中，它通過控製柵極電壓來調節漏源路徑上的電流流動，實現對負載的精確控製。SI2319廣泛應用於以下領域：
電源管理：SI2319可用作低壓降開關，用於電源管理電路中的電池充放電控製、DC-DC變換器等。
信號放大：在音頻放大器和低頻放大器中，SI2319可以作為信號放大的關鍵部件。
開關控製：在各種開關電路中，如LED燈控製、電機控製等，SI2319能提供高效的開關控製功能。
模擬開關：在模擬電路中，SI2319可以作為開關管，用於模擬信號的控製和處理。
充電管理：在移動設備和電動車等充電管理係統中，SI2319用於充電過程中的電池保護和充電控製。
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