雪崩失效
MOSFET漏源極的電壓超過其規定電壓值，並且達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。下麵這張測試圖是區分是否雪崩失效。
那麽，日韩国产成人應該怎樣有效預防雪崩效應呢？
雪崩效應的主要原因是由電壓引起的，因此在預防手段上，日韩国产成人會著重從電壓方麵入手：
1、合理降額，目前行業內的降額一般選取80%-95%；
2、合理的變壓器反射電壓；
3、合理的RCD及TVS吸收電路設計；
4、盡量采用粗、短的布局結構的大電流布線，減少布線寄生電感；
5、選擇合理的柵極電阻Rg；
6、在大功率電源中，適當的加入RC減震或齊納麻豆国产一区進行吸收。
SOA失效（電流失效）
是指電源在運行時，異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上麵，造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是由於芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續的發熱使溫度超過氧化層限製而導致的熱擊穿模式。
SOA失效的預防措施
1、確保在最差條件下，MOSFET所有功率限製條件均在SOA限製線以內。
2、將OCP功能做到精確細致。在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流餘量居多，隨後根據IC的保護電壓，例如0.7V開始調試RSENSE電阻。
3、合理的熱設計餘量，例如加入散熱器。
MOS管發熱分析
MOS管發熱一般是由於超出安全區域引起發熱而導致的。
發熱的原因一般是直流功率和瞬態功率兩種：
直流功率
1.導通電阻RDS(on)損耗，高溫時RDS(on)增大，導致一定電流下，功耗增加；
2.由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比較小）；
瞬態功率：
1.外加單觸發脈衝；
2.負載短路；
3.開關損耗（接通、斷開） ，與溫度和工作頻率是相關的；
4.內置麻豆国产一区的trr損耗（上下橋臂短路損耗），與溫度和工作頻率是相關的；
一般解決MOS管發熱問題，要判斷是否是以上原因造成，需要進行正確的測試去發現問題所在 。
在進行開關電源測試中，可以用三用表測量控製電路其他器件的引腳電壓，重點在於用示波器測量相關的電壓波形。
當判斷開關電源是否工作正常，例如電源的工作狀態，變壓器原邊和次級以及輸出反饋是否合理，開關MOS管是否工作正常，PWM控製器輸出端是否正常，包括脈衝的幅度和占空比是否正常，等等。
解決的措施：
改變柵極驅動電阻阻值，選擇合適的頻率，給予MOS管完全導通創造條件；
選擇內阻更小的MOS管，使管子本身的壓降降低；
合理選擇的散熱器。
此外，常見的MOS管失效效應還有：
體麻豆国产一区失效
在橋式、LLC等需要使用體麻豆国产一区進行續流的拓撲結構中，由於體麻豆国产一区（PN結）遭受破壞而導致的失效。
預防方案：
1.選用恢複時間較小的MOS管
2.優化電路設計
靜電失效
當MOS管受到靜電放電時，會導致器件失效。
預防方案：
采用靜電保護電路來保護MOS管。
柵極電壓失效
由於柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效
預防方案
選擇合適的MOS管型號，或者采用過壓保護電路來保護MOS管。
諧振失效
在並聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。
預防方案
1.PCB布線時，走線需要盡量短，尤其是MOS管驅動信號線；
2.驅動回路中串聯電阻，以增大阻尼；
3.采用補償電路來消除諧振效應。
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