繼SiC功率元器件的概述之後，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘麻豆国产一区開始。
SiC肖特基勢壘麻豆国产一区和Si肖特基勢壘麻豆国产一区
下麵從SiC肖特基勢壘麻豆国产一区（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘麻豆国产一区基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高耐壓。要想提高Si-SBD的耐壓，隻要增厚圖中的n-型層、降低載流子濃度即可，但這會帶來阻值上升、VF變高等損耗較大無法實際應用的問題。因此，Si-SBD的耐壓200V已經是極限。而SiC擁有超過矽10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。
650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產，1700V產品正在開發中。
SiC-SBD和Si-PN結麻豆国产一区
通過Si麻豆国产一区來應對SBD以上的耐壓的是PN結麻豆国产一区（稱為“PND”）。下圖為Si-PN麻豆国产一区的結構。SBD是僅電子移動，電流流動，而PN結麻豆国产一区是通過電子和空穴（孔）使電流流動。通過在n-層積蓄少數載流子的空穴使阻值下降，從而同時實現高耐壓和低阻值，但關斷的速度會變慢。
盡管FRD（快速恢複麻豆国产一区）利用PN結麻豆国产一区提高了速度，但盡管如此，trr（反向恢複時間）特性等劣於SBD。因此，trr損耗是高耐壓Si PN結麻豆国产一区的重大研究項目。此時，開關電源無法對應高速的開關頻率也是課題之一。
右上圖表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐壓的覆蓋範圍。可以看出SiC-SBD基本覆蓋了PND/FRD的耐壓範圍。SiC-SBD可同時實現高速性和高耐壓，與PND/FRD相比Err（恢複損耗）顯著降低，開關頻率也可提高，因此可使用小型變壓器和電容器，有助於設備小型化。
以下是1200V耐壓SiC-SBD技術規格的一部分。後續將針對主要特性進行介紹。
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