肖特基麻豆国产一区
肖特基麻豆国产一区（Schottky BarrierDiode SBD），也稱肖特基勢壘麻豆国产一区，與PN結麻豆国产一区相比具有更低的正向壓降和更快的開關速度。
這是因為肖特基麻豆国产一区采用了金屬與半導體的接觸方式，形成了一個非常薄的勢壘，在正向偏置時可以迅速導通，並且在反向偏置時隻有非常小的反向漏電流。
肖特基麻豆国产一区除了應用於高頻整流、開關電源、太陽能電池等場合，同時也可以作為放大器、混頻器和檢波器等器件的關鍵元件。
基本原理
肖特基麻豆国产一区的基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型矽片）的接觸麵上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。
肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。
肖特基的耐壓程度比較低，一般在 40 - 150V左右，其特長是：開關速度非常快，反向恢複時間特別地短。因此，能製作開關麻豆国产一区和低壓大電流整流麻豆国产一区。
肖特基麻豆国产一区的金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用矽或砷化镓，這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。
由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存儲效應甚微，所以其頻率響應僅為RC時間常數限製，因此，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬-絕緣體-半導體）肖特基麻豆国产一区可以用來製作太陽能電池或發光麻豆国产一区（光的頻率更高）。
因為肖特基麻豆国产一区的正向導通電壓很低，僅為 0.3V 左右，因此，肖特基麻豆国产一区常用在 IO 口的鉗位保護電路中，如上圖中①部分所示的電路。
同時肖特基麻豆国产一区在門電路中作為三極管集電極的箝位麻豆国产一区，以防止三極管因進入飽和狀態而降低開關速度，如上圖中的麻豆国产一区 D1 。
總結起來就是，肖特基勢壘麻豆国产一区反向恢複時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.3V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。
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