分享一種典型的三極管和MOS管結合的開關控製電路，關於三極管和MOS管的基礎使用方法可以參見下文說明。
三級管和場效應管驅動電路設計及使用
開關控製電路，MCU控製三極管，然後再控製MOS管，如下圖所示：
電路解析：
當I/O為高電平時，三極管導通，MOS管柵極被拉低，1.8V電源導通；
當I/O為低電平時，三極管不導通，MOS管不導通，1.8V電源不導通。
為什麽要這樣做呢？
這個和三極管和MOS的特性有很大關係：三極管是電流控製電流器件，用基極電流的變化控製集電極電流的變化；MOS管是電壓控製電流器件，用柵極電壓的變化控製漏極電流的變化。
三極管的基極驅動電壓隻要高於Ube的死區電壓即可控製三極管導通，矽材料三極管的死區電壓一般為0.6V，鍺材料三極管的死區電壓一般為0.3V，所以控製三極管的電壓對於矽材料的三極管來說隻要高於0.6V左右即可，而對於鍺材料的三極管來說隻要高於0.3V左右即可。所以MCU先連接控製三極管。
而MOS管就不一樣了，MOS管是電壓型驅動，其驅動電壓必須高於其死區電壓Ugs的最小值才能導通，不同型號的MOS管其導通的Ugs最小值是不同的，一般為3V~5V左右，最小的也要2.5V，但這也隻是剛剛導通，其電流很小，還處於放大區的起始階段，一般MOS管達到飽和時的驅動電壓需6V~10V左右。
一般MCU IO輸出電壓為3.3V，很可能無法打開MOS管，所以MCU不直接連接控製MOS管。
而且三極管帶負載的能力沒有MOS管強，所以MCU控製三極管，然後再控製MOS管來控製負載設備。
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