以BUCK芯片TPS54540為例，下表為係統設計需求：
典型應用電路如下：
TPS54540 器件在 SW 引腳和 GND 之間需要一個外部鉗位麻豆国产一区。
麻豆国产一区需求：
1.反向電壓額定值必須等於或大於VIN(max)
2.峰值電流額定值必須大於最大電感電流
3.低正向電壓
4.合適的額定功率和導熱係數
手冊推薦PDS760-13，可以看出來VBRmin>42V，Iomax>5A;
PDS760-13的典型正向電壓在5 A和25℃時為0.52 V，導通壓降較小，符合要求。
PDS760-13總功耗，包括麻豆国产一区的傳導損耗和交流損耗。麻豆国产一区在MOS管關斷期間續流，瞬時傳導損耗以關斷期間的輸出電流乘以麻豆国产一区的正向電壓來計算。麻豆国产一区的交流損耗是由於結電容的充放電和反向恢複電荷造成的。
PDS760-13的耗散功率在5A時為2.2 W > 1.9 W。
後續如果因為器件成本和貨期原因導致的替代料的選型，直接安照上述參數進行選取就好。
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