日韩国产成人在應用MOS管和設計MOS管驅動的時候，有很多寄生參數，其中最影響MOS管開關性能的是源邊感抗。寄生的源邊感抗主要有兩種來源，第一個就是晶圓DIE和封裝之間的Bonding線的感抗，另外一個就是源邊引腳到地的PCB走線的感抗（地是作為驅動電路的旁路電容和電源網絡濾波網的返回路徑）。在某些情況下，加入測量電流的小電阻也可能產生額外的感抗。
mos管是什麽？
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出N溝道mos管符號一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市麵上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管
場效應管通過投影P溝道mos管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化矽來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
日韩国产成人分析一下源邊感抗帶來的影響：
1.使得MOS管的開啟延遲和關斷延遲增加
由於存在源邊電感，在開啟和關段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時間變長了。同時源感抗和等效輸入電容之間會發生諧振（這個諧振是由於驅動電壓的快速變壓形成的，也是日韩国产成人在G端看到震蕩尖峰的原因），日韩国产成人加入的門電阻Rg和內部的柵極電阻Rm都會抑製這個震蕩（震蕩的Q值非常高）。
日韩国产成人需要加入的優化電阻的值可以通過上述的公式選取，如果電阻過大則會引起G端電壓的過衝（優點是加快了開啟的過程），電阻過小則會使得開啟過程變得很慢，加大了開啟的時間（雖然G端電壓會被抑製）。
園感抗另外一個影響是阻礙Id的變化，當開啟的時候，初始時di/dt偏大，因此在原感抗上產生了較大壓降，從而使得源點點位抬高，使得Vg電壓大部分加在電感上麵，因此使得G點的電壓變化減小，進而形成了一種平衡（負反饋係統）。
另外一個重要的寄生參數是漏極的感抗，主要是有內部的封裝電感以及連接的電感所組成。
在開啟狀態的時候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），開啟的時候由於Ld的作用，有效的限製了di/dt/（同時減少了開啟的功耗）。在關斷的時候，由於Ld的作用，Vds電壓形成明顯的下衝（負壓）並顯著的增加了關斷時候的功耗。
下麵談一下驅動（直連或耦合的）的一些重要特性和典型環節：
直連電路最大挑戰是優化布局
實際上驅動器和MOS管一般離開很遠，因此在源級到返回路徑的環路上存在很大的感抗，即使日韩国产成人考慮使用地平麵，那麽日韩国产成人仍舊需要一段很粗的PCB線連接源級和地平麵。
另外一個問題是大部分的集成芯片的輸出電流都比較小，因為由於控製頻率較高，晶圓大小受到限製。同時內部功耗很高也導致了IC的成本較高，因此日韩国产成人需要一些擴展分立的電路。
旁路電容的大小
由於開啟的瞬間，MOS管需要吸取大量的電流，因此旁路電容需要盡可能的貼近驅動器電源端。
有兩個電流需要日韩国产成人去考慮：第一個是驅動器靜態電流，它收到輸入狀態的影響。他可以產生一個和占空比相關的紋波。
另外一個是G極電流，MOS管開通的時候，充電電流時將旁路電流的能量傳輸至MOS管輸入電容上。其紋波大小可用公式來表明，最後兩個可合在一起。
驅動器保護
如果驅動器輸出級為晶體管，那麽日韩国产成人還需要適當的保護來防止反向電流。一般為了成本考慮，日韩国产成人采用NPN的輸出級電路。NPN管子隻能承受單向電流，高邊的管子輸出電流，低邊的管子吸收電流。在開啟和關閉的時候，無可避免的源感抗和輸入電容之間的振蕩使得電流需要上下兩個方向都有通路，為了提供一條方向通路，低電壓的肖特基麻豆国产一区可以用來保護驅動器的輸出級，這裏注意這兩個管子並不能保護MOS管的輸入級（離MOS管較遠），因此麻豆国产一区需要離驅動器引腳非常近。
晶體管的圖騰柱結構
這是最便宜和有效地驅動方式，此電路需要盡量考慮MOS管，這樣可以使得開啟時大電流環路盡可能小，並且此電路需要專門的旁路電容。Rgate是可選的，Rb可以根據晶體管的放大倍數來選擇。兩個BE之間的PN結有效的實現了反壓時候的相互保護，並能有效的把電壓嵌位在VCC+Vbe，GND-Vbe之間。
加速器件
MOS管開通的時候，開啟的速度主要取決於麻豆国产一区的反向特性。
因此MOS管關斷的時間需要日韩国产成人去優化，放電曲線取決於Rgate，Rgate越小則關斷越快。下麵有好幾個方案：
1.麻豆国产一区關斷電路
這是最簡單的加速電路。Rgate調整著MOS管的開啟速度，當關斷的時候，由麻豆国产一区短路電阻，此時G極電流最小為：Imin=Vf/Rgate。
此電路的優點是大大加速了關斷的速度，但是它僅在電壓高的時候工作，且電流仍舊流向驅動器。
2.PNP關斷電路
這是最流行和通用的電路，利用PNP的管子，在關斷期間，源極和柵極被短路了。麻豆国产一区提供了開啟時候的電流通路（並且有保護PNP管子eb免受反向電壓的影響），Rgate限製了開啟的速度。
電路的最大的好處是放電電流的尖峰被限製在最小的環路中，電流並不返回至驅動器，因此也不會造成地彈的現象，驅動器的功率也小了一半，三極管的存在減小了回路電感。仔細看這個電路其實是圖騰柱結構的簡化，電路的唯一的缺點是柵極電壓並不釋放到0V，而是存在EC極的壓差。
3.NPN關斷電路
優點和上麵的PNP管子相同，缺點是加入了一個反向器，加入反向器勢必會造成延遲。
4.NMOS關斷電路
這個電路可以使得MOS管關斷非常快，並且柵極電壓完全釋放至零電壓。不過小NMOS管子需要一個方向電壓來驅動。問題也存在，NMOS的Coss電容和主MOS管的CISS合成變成等效的電容了
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