MOS 管計算導通損耗時，應該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？
先定義下相關參數，以便於後續的計算．
IO -------------輸出電流
IH-AVG-----------上MOS 管平均電流
IL-AVG ---------下MOS 管平均電流
IRMS(H) --------上MOS 管電流有效值
IRMS(L) -----------下MOS 管電流有效值
D ------------------上MOS 管占空比
ΔI --------------電感紋波電流
RON-H ---------上MOS 管導通電阻
RON-L ---------下MOS 管導通電阻
PON-H ---------上MOS 管導通損耗
PON-L ---------下MOS 管導通損耗
計算方法１： 基於平均電流
計算方法２： 基於電流有效值
下麵是關於有效值和平均值的對比數據，可以直觀的看出有效值比平均值大出很多．
所以兩種方法計算出來的導通損耗也會差別很大，那麽哪種方式是正確的呢？
MOS 管導通時，等效為一個電阻RDS(ON), 計算損耗時是通過積分來計算的，應該用有效值來計算。
由此可見，I 為有效值的計算公式, 所以計算時應用電流有效值來計算MOS管的導通損耗．
那麽什麽時候可以用平均電流來計算損耗呢？
其實輸出整流麻豆国产一区，MOS體麻豆国产一区的導通損耗，則是用均值來計算的．
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