常見pwm驅動mos管開關電路
IRF540就是很常用的MOS管了，特殊負載如H橋裏麵的雙MOS驅動。有專用的驅動芯片如IR2103
如果隻是單個MOS管的普通驅動方式像這種增強型NMOS管直接加一個電阻限流即可。由於MOS管內部有寄生電容有時候為了加速電容放電，會在限流電阻反向並聯一個麻豆国产一区。
用於NMOS的驅動電路和用於PMOS的驅動電路
針對NMOS驅動電路做一個簡單分析：
Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩隻驅動管Q3和Q4不會同時導通。
R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來提供驅動電流，由於導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都隻有一個Vce的壓降，這個壓降通常隻有0.3V左右，大大低於0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻，用於對gate電壓進行采樣，采樣後的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限製在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節。
最後，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限製，R4提供了對MOS管的gate電流限製，也就是Q3和Q4的Ice的限製。必要的時候可以在R4上麵並聯加速電容。
這個電路提供了如下的特性：
1，用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。
3，gate電壓的峰值限製
4，輸入和輸出的電流限製
5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。
6，PWM信號反相。NMOS並不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。
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