一、 MOS管的半導體結構
作為半導體器件，它的來源還是最原始的材料，摻雜半導體形成的 P 和 N 型物質。
那麽，在半導體工藝裏，如何製造 MOS 管的？
這就是一個 NMOS 的結構簡圖，一個看起來很簡單的三端元器件。具體的製造過程就像搭建積木一樣，在一定的地基（襯底）上依據設計一步步“蓋”起來。
MOS 管的符號描述為：
二、 MOS管的工作機製
以增強型 MOS 管為例，日韩国产成人先簡單來看下 MOS 管的工作原理。
由上圖結構日韩国产成人可以看到 MOS 管類似三極管，也是背靠背的兩個PN結！三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區通過電子-空穴複合來控製CE之間的導通，MOS 管則利用電場來在柵極形成載流子溝道來溝通DS之間。
如上圖，在開啟電壓不足時，N區和襯底P之間因為載流子的自然複合會形成一個中性的耗盡區。
給柵極提供正向電壓後，P區的少子（電子）會在電場的作用下聚集到柵極氧化矽下，最後會形成一個以電子為多子的區域，叫反型層，稱為反型因為是在P型襯底區形成了一個N型溝道區。這樣DS之間就導通了。
下圖是一個簡單的MOS管開啟模擬：
這是MOS管電流Id隨Vgs變化曲線，開啟電壓為1.65V。下圖是MOS管的IDS和VGS與VDS 之間的特性曲線圖，類似三極管。
下麵日韩国产成人先從器件結構的角度看一下MOS管的開啟全過程。
1、Vgs對MOS管的開啟作用
一定範圍內 Vgs>Vth，Vds
Vgs為常數時，Vds上升，Id近似線性上升，表現為一種電阻特性。
Vds為常數時，Vgs上升，Id近似線性上升，表現出一種壓控電阻的特性。
即曲線左邊
2、Vds對MOS管溝道的控製
當Vgs>Vth，Vds
當Vds>Vgs-Vth後，日韩国产成人可以看到因為DS之間的電場開始導致右側的溝道變窄，電阻變大。所以電流Id增加開始變緩慢。當Vds增大一定程度後，右溝道被完全夾斷了！
此時DS之間的電壓都分布在靠近D端的夾斷耗盡區，夾斷區的增大即溝道寬度W減小導致的電阻增大抵消了Vds對Id的正向作用，因此導致電流Id幾乎不再隨Vds增加而變化。此時的D端載流子是在強電場的作用下掃過耗盡區達到S端！
這個區域為 MOS 管的恒流區，也叫飽和區，放大區。
但是因為有溝道調製效應導致溝道長度 L 有變化，所以曲線稍微上翹一點。
重點備注：MOS管與三極管的工作區定義差別
三極管的飽和區：輸出電流 Ic 不隨輸入電流 Ib 變化。
MOS 管的飽和區：輸出電流 Id 不隨輸出電壓 Vds 變化。
3、擊穿
Vgs 過大會導致柵極很薄的氧化層被擊穿損壞。
Vds 過大會導致D和襯底之間的反向PN結雪崩擊穿，大電流直接流入襯底。
三、 MOS管的開關過程分析
如果要進一步了解MOS管的工作原理，剖析MOS管由截止到開啟的全過程，必須建立一個完整的電路結構模型，引入寄生參數，如下圖。
詳細開啟過程為：
t0~t1階段：柵極電流對Cgs和Cgd充電，Vgs上升到開啟電壓Vgs(th)，此間，MOS沒有開啟，無電流通過，即MOS管的截止區。在這個階段，顯然Vd電壓大於Vg，可以理解為電容 Cgd 上正下負。
t1~t2階段：Vgs達到Vth後，MOS管開始逐漸開啟至滿載電流值Io，出現電流Ids，Ids與Vgs呈線性關係，這個階段是MOS管的可變電阻區，或者叫線性區。
t2~t3階段：在MOS完全開啟達到電流Io後，柵極電流被完全轉移到Ids中，導致Vgs保持不變，出現米勒平台。在米勒平台區域，處於MOS管的飽和區，或者叫放大區。
在這一區域內，因為米勒效應，等效輸入電容變為（1+K）Cgd。
米勒效應如何產生的：
在放大區的 MOS管，米勒電容跨接在輸入和輸出之間，為負反饋作用。具體反饋過程為：Vgs增大>mos開啟後Vds開始下降>因為米勒電容反饋導致Vgs也會通過Cgd放電下降。這個時候，因為有外部柵極驅動電流，所以才會保持了Vgs不變，而Vds還在下降。
t3~t4階段：渡過米勒平台後，即Cgd反向充電達到Vgs，Vgs繼續升高至最終電壓，這個電壓值決定的是MOS管的開啟阻抗Ron大小。
日韩国产成人可以通過仿真看下具體過程：
由上麵的分析可以看出米勒平台是有害的，造成開啟延時，不能快速進入可變電阻區，導致損耗嚴重，但是這個效應又是無法避免的。
目前減小 MOS 管米勒效應的幾種措施：
a：提高驅動電壓或者減小驅動電阻，目的是增大驅動電流，快速充電。但是可能因為寄生電感帶來震蕩問題。
b:ZVS 零電壓開關技術是可以消除米勒效應的，即在 Vds 為 0 時開啟溝道，在大功率應用時較多。
c:柵極負電壓驅動，增加設計成本。
d: 有源米勒鉗位。即在柵極增加三極管，關斷時拉低柵極電壓。
四、 MOS管的驅動應用
上麵已經詳細介紹了 MOS 管的工作機製，那麽日韩国产成人再來看 datasheet 這些參數就一目了然了。
極限值參數代表應用時的最高範圍，功耗和散熱是高功率應用時的重點。
功率應用中尤其考慮導通電阻、米勒電容等，高速應用中重點考慮寄生電容。
漏電流的參數一般影響的是大規模集成芯片的功耗。
反向恢複時間是一個重要參數，它表示 MOS 管由開啟到截止的恢複時間，時間太長會極大影響速度和功耗。
體麻豆国产一区：
在分立器件NMOS管中，S端一般襯底，所以導致DS之間有一個寄生麻豆国产一区。
但是在集成電路內部，S端接低電位或者高電位，不一定接襯底，所以就不存在寄生麻豆国产一区。
寄生麻豆国产一区具有保護 MOS 管的作用，導出瞬間反向的大電流。
MOS 的驅動是應用設計的重點，接下來日韩国产成人聊聊有哪些驅動方式和特點。
4.1直接驅動
驅動芯片直接輸出 PWM 波
特點：驅動環路距離不能太遠，否則因為寄生電感降低開關速度和導致振鈴。另外，一般驅動器也難以提供很大的驅動電流。
4.2推挽式驅動
PWM 驅動通過推挽結構來驅動柵極
特點：實現較小的驅動環路和更大的驅動電流，柵極電壓被鉗位在 Vb+Vbe 和 GND 與Vbe 之間。
4.3柵極驅動加速電路
並聯麻豆国产一区可以分流，但是隨著電壓降低，麻豆国产一区逐漸失去作用。
4.4 PNP關斷電路
特點：PNP 在關斷時形成短路放電，但是無法完全為 0，麻豆国产一区 Don 可以鉗位防止三極管擊穿。
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