MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和三極管（雙極型晶體管）是兩種常見的晶體管類型，它們在工作原理、結構和特性等方麵有一些顯著的區別。
1. 結構：
- MOS管：三個極為柵極-G、源極-S、漏極-D，MOS管由金屬-氧化物-半導體構成，主要包括柵極、漏極和源極。其特點是具有非常高的輸入電阻和低的靜態功耗。
- 三極管：三個極分為基極-b、集電極-c、發射極-e，三極管由三個區域（發射極、基極和集電極）構成，主要用於放大和開關應用。其結構相對簡單，但輸入電阻較低。
2. 工作原理：
- MOS管：MOS管通過改變柵極電壓來控製漏極和源極之間的導通情況，具有高輸入電阻和低噪聲。
- 三極管：三極管通過基極電流來控製集電極和發射極之間的電流，適用於放大和開關電路。
MOS管適用於高頻和數字電路，具有高輸入電阻和低功耗的特點；而三極管適用於模擬電路和功率放大電路，具有較高的電流增益和功率放大能力。
MOS管
G極(gate)—柵極，不用說比較好認
S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是
D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊
箭頭指向G極的是N溝道
箭頭背向G極的是P溝道
寄生麻豆国产一区方向判定
不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生麻豆国产一区的箭頭方向總是一致的：
要麽都由S指向D，要麽都有D指向S
MOS管用作開關時在電路中的連接方法
NMOS：D極接輸入，S極接輸出
PMOS：S極接輸入，D極接輸出
MOS管的開關條件
N溝道—導通時 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時導通
P溝道—導通時 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時導通
總之，導通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|
從MOS管實物識別管腳
無論是NMOS還是PMOS
按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。
或者這麽記：單獨的一腳為D，逆時針轉DGS。
這裏順便提一下三極管的管腳識別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。
管腳編號
從G腳開始，逆時針123
三極管的管腳編號同樣從B腳開始，逆時針123
用萬用表辨別NNOS、PMOS
借助寄生麻豆国产一区來辨別。將萬用表檔位撥至麻豆国产一区檔，紅表筆接S,黑表筆接D，有數值顯示，反過來接無數值，說明是N溝道，若情況相反是P溝道。
三極管
什麽是三極管：三極管全稱半導體三極管，也稱晶體三極管，是一種控製電流的半導體器件，其作用是把微弱大的電信號放大成幅度較大的電信號，無需觸點開關，在電路中起開關和放大電流作用。
三極管引腳：B（基極）、C（集電極）、E（發射極）
按照半導體排列方式區分：PNP三極管和NPN三極管
按照材質區分：矽管（PN結導通電壓0.5-0.7V）、鍺管（PN結導通電壓0.1-0.3V）
PN結偏置：正偏、反偏、零偏
正偏：P（陽極）電位高，N（陰極）電位低，正向導通
反偏：P電位低，N點位高，反向截止
飽和：P和N電位相等
三種狀態：
1、放大：發射結正偏，集電結反偏 基極b 發射極e 導通
2、截止：發射結，集電結都反偏 基極b 發射極e 不導通
3、飽和：發射結，集電結都正偏或者發射結正偏，集電結零偏 基極b 發射極e 導通
口訣：發正級反是放大，全正飽和全反截
箭頭朝內PNP，箭頭朝外NPN，箭頭引腳發射極
MOS管和三極管的對比
場效應管的源極S、柵極G、漏極D分別對應於三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應圖。
2)．場效應管是電壓控製電流器件，由VGS控製ID，普通的晶體三極管是電流控製電流器件，由IB控製IC。MOS管道放大係數是（跨導gm）當柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大係數（貝塔β）當基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少。
3)．場效應管柵極和其它電極是絕緣的，不產生電流；而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。
4)．場效應管隻有多數載流子參與導電；三極管有多數載流子和少數載流子兩種載流子參與導電，因少數載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應管比三極管的溫度穩定性好。
5)．場效應管在源極未與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大，而三極管的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，b 值將減小很多。
6)．場效應管的噪聲係數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。
7)．場效應管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關電路，但是場效應管製造工藝簡單，並且又具有普通晶體三極管不能比擬的優秀特性，在各種電路及應用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規模和超大規模集成電路中，已經廣泛的采用場效應管。
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