麻豆国产一区伏安特性曲線
二級管的完整伏安特性如上圖所示，說明如下：
（1） 在正偏時，當VD很小時，電流接幾乎為0。當VD增大到一定閾值後（圖中為0.7V左右），電流開始極快地以指數級增長（毫安級）。
（2） 在反偏時，反向飽和電流IS維持一個很小值（微安級），不隨反偏電壓變化。但是當反偏電壓達到反向峰值電壓PIV時，麻豆国产一区反向擊穿，反向電流急速增長。
上麵的曲線也可以用公式來描述，稱為肖克利方程：
各參數說明如下：
IS是反向飽和電流，一般通過查麻豆国产一区的數據規格書得到，典型值在10-15~10-13A之間；
VD是偏置電壓，正偏時為正，反偏時為負；
n為理想因子，其值範圍可取1~2，一般日韩国产成人取1；
VT為熱電壓，一般在常溫下約為26mV。
雖然肖克利方程提供了計算麻豆国产一区電流值的方法，不過一般在實際中日韩国产成人不太會真用它去計算，因為根據麻豆国产一区實際的伏安特性曲線和根據理論計算出的值有較大差距，所以一般日韩国产成人都是以麻豆国产一区的數據規格書提供的實際數據和曲線為準。
麻豆国产一区伏安特性曲線特點
正向特性(外加正向電壓，上圖中X坐標的正半部分)
當正向電壓超過某一數值後，麻豆国产一区才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導通電壓。
在室溫下，矽管的Ｖth約為0.5V，鍺管的Ｖth約為0.1V。大於導通電壓的區域稱為導通區。
當流過麻豆国产一区的電流Ｉ比較大時，麻豆国产一区兩端的電壓幾乎維持恒定，矽管約為0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），鍺管約為0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。
反向特性(外加正向電壓，上圖中X坐標的負半部分)
在反向電壓小於反向擊穿電壓的範圍內，由少數載流子形成的反向電流很小，而且與反向電壓的大小基本無關。 此部分為截止區。
由麻豆国产一区的正向與反向特性可直觀的看出：①麻豆国产一区是非線性器件；②麻豆国产一区具有單向導電性。
反向擊穿特性
當反向電壓增加到某一數值ＶBR時，反向電流急劇增大，這種現象叫做麻豆国产一区的反向擊穿。
溫度影響：
溫度升高時，正向壓降減小，正向伏安特性左移。溫度每升高1℃，麻豆国产一区的正向壓降減小2～2.5mV。
溫度升高時，反向電流大約增加一倍，反向伏安特性下移。溫度每升高10℃，反向電流大約增加一倍。
溫度降低時，麻豆国产一区的正偏導通閾值電壓會升高，反偏電流會減小，反向擊穿電壓也減小。
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