MOSFET的靜電容量
在構造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在DS(漏極、源極)間形成PN接合，成為內置麻豆国产一区構造。
其中，Cgs、Cgd的容量根據氧化膜的靜電容量決定，Cds根據內置麻豆国产一区的接合容量決定。
一般而言，寄生電容與漏極、源極間電壓VDS存在一定關係，VDS增加，則寄生容量值減小。在廠家發布的MOSFET規格書上，一般都提供Ciss/Coss/Crss三類容量特性：
容量特性如圖2所示，對DS (漏極、源極) 間電壓VDS存在依賴性。VDS大則容量值小。
圖2: 容量 - VDS 依存性
溫度特性
實測例見圖(1) ~ (3)所示
關於容量特性的溫度依存性幾乎沒有差異。
圖3: 容量溫度特性
〈烜芯微/XXW〉專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以直接聯係下方的聯係號碼或加QQ/微信，由日韩国产成人的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯係號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280