假定設計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結溫為150℃。考慮到結到外殼還存在溫差，那麽MOSFET的實際外殼溫度必須保持在等於或低於100°C才能可靠運行。
假定MOSFET的結到外殼的熱阻為3K/W，那麽日韩国产成人如何確定所需的最小散熱器尺寸呢？
解決方案
功率MOS的熱阻Rthjc在上麵假定為3K/W。這裏的熱阻Rthch表示的是MOSFET外殼和散熱器之間的熱阻,一般來說Rthch較小，可以忽略，所以在這個散熱器熱阻計算示例中，就不考慮MOSFET外殼和散熱器之間的熱阻的影響。
但是，日韩国产成人應該考慮餘量，可以得到下麵的等式。日韩国产成人所追求的是術語Rth hsa，它是散熱器的熱阻。修改方程日韩国产成人得到：
所以日韩国产成人主要考慮的是Rth_hsa(散熱器自身熱阻)：
需要注意的是日韩国产成人忽略了MOSFET外殼到散熱器之間的熱阻，在進行散熱器熱阻選型時要選擇遠低於2K/W的散熱器，如果太大的話那就不能忽略了。
需要注意的是上述的計算K表示開爾文，如果要轉換成攝氏度，可以通過下麵的公式進行轉換。
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