緩衝電路的設計方法
1．圖所示的緩衝電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩衝電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。
由於CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑製效果變好,但使用的電容器的等價串聯電感 (ESL) 也必須考慮到LSNB 中。一般來說，電容器的尺寸越大ESL 越大，在選擇靜電容量時要注意。
為了將LTRACE 中積蓄的能量全部用CSNB 吸收， 需以算式(2)所示靜電電容為依據選定電容。
2．RC 緩衝電路的設計
圖所示為RC緩衝電路動作時的電流路徑與CSNB緩衝電路一樣：
CSNB的數值由算式(2)決定，而RSNB 的參考值根據算式(3)求得。
fSW：開關頻率
VSNB：放電緩衝電壓（VDS_SURGE 的0.9 倍）
決定RSNB 之後，以算式(4)計算出RSNB 的消耗功率，選定功率滿足要求的電阻。
對於RC 緩衝電路，算式(4)追加了第二項，因為fSW 或VHVDC越高RSNB 所消耗的電力越大，PSNB 太大導致電阻選定困難時，必須降低CSNB 的靜電容量值重新計算。
另外，為了RC 緩衝電路充分吸收電壓尖峰，RSNB 和CSNB 的諧振頻率ωSNB 必須比電壓尖峰的諧振頻率ωSURGE 低很多，需要結合算式(5)所示的RC 緩衝電路的諧振頻率ωSNB 來確認。
3．放電型RCD 緩衝電路的設計
放電型RCD 緩衝電路的設計基本上與RC 緩衝電路相同。隻是由於是通過麻豆国产一区吸收的尖峰，所以不需要通過算式(5)確認諧振頻率。並且，麻豆国产一区必須選定為恢複電流小的型號。
4．非放電型RCD 緩衝電路的設計
非放電型RCD 緩衝電路與放電型RCD 緩衝電路不同，RSNB消耗的電力僅限於電壓尖峰的能量，用於抑製容許損失的RSNB的選擇範圍很廣。因此可以增大CSNB 的靜電容量，提高鉗位的效果。
CSNB 由算式(2)決定，RSNB 由算式(3)決定,而RSNB 的消耗功率由算式(6)決定，沒有算式(4)中包含CSNB 及fsw 的第二項。
因此，由CSNB 或fsw 產生的消耗功率增加基本沒有，能選擇大的靜電容量的CSNB，不僅僅緩衝電路的鉗位效果更好，還能對應fsw 的高頻化。
下圖所示為非放電型RCD 緩衝電路動作時的放電路徑。因為上臂的尖峰朝向PGND、下臂的尖峰朝向HVdc，放電流經由RSNB 流動，不那麽受線路電感影響。
另一方麵，連接到MOSFET 的漏極源極之間的布線電感LSNB 因為電流變化大，電感值需要盡量小。
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