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AO4606場效應管,NMOS+PMOS管AO4606參數資料,AO4606引腳圖,AO4606中文資料規格書PDF
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AO4606/SOP-8/SOIC-8封裝參數：點擊查看
AO4606場效應管參數具體如下：
極性：NMOS+PMOS
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：30V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：6A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：6A
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：2W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：2W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=6A,VGS=10V： Typ 20mΩ Max 30mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 33.5mΩ Max 42mΩ
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-30VContinuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-5.5A
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：2W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-6.5A,VGS=-10V： Typ 40mΩ Max 48mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 34mΩ Max 44mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度範圍：-55~+150℃
AO4606場效應管SOP-8/SOIC-8封裝尺寸：
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