功率 MOSFET 的開關過程
功率 MOSFET 的開通過程中可以分為 4 個階段，關斷過程的基本原理和開通過程相類似，以前的文章對其進行過非常詳細的敘述，N 溝道功率 MOSFET 放在低端直接驅動的波形如圖 1 所示。
圖 1：功率 MOSFET 的開通過程
階段 3（t2-t3）為米勒平台，VGS 電壓保持米勒平台電壓 VGP，整個過程中，VDS 電壓逐漸下降到低的電壓值，ID 電流保持不變。
若功率 MOSFET 使用 N 管或 P 管放在高端，工作原理類似，工作的波形如下圖 2 所示。
圖 2：N-MOSFET 放在高端的開通波形
圖 3：P-MOSFET 放在高端
圖 4：P-MOSFET 放在高端開通波形
di/dt 和 dV/dt 的分開獨立控製
由前麵的分析可以知道，在階段 2：t1-t2 的開通過程中，漏極電流 ID 不斷增加，VDS 保持不變，這個過程主要控製著回路的電流變化率 di/dt。
在驅動電源 VCC 和驅動芯片的驅動能力確定的條件下，驅動電路的 RG 以及 Ciss 決定著開通過程的電流變化率 di/dt。外加 G、S 的電容 CGS1 調節開通過程的 di/dt 的波形如圖 5 所示。
圖 5：外加 G、S 電容 CGS1 開通波形
在階段 3：t2-t3 的開通過程中，漏極電流 ID 保持不變，VDS 不斷降低，這個過程主要控製著回路的電壓變化率 dV/dt。在驅動電源 VCC 和驅動芯片的驅動能力確定的條件下，驅動電路的 RG 以及 Crss 決定著開通過程的電壓變化率 dV/dt。
實際應用過程中，功率 MOSFET 的 Crss 非常小，而且是非線性的，隨著電壓的變化而變化，變化的幅值也非常大，單獨用 Crss 和 RG 來控製 dV/dt，dV/dt 控製精度差。
如果係統的 dV/dt 控製精度要求比較高，也就是輸出電壓的上電時間的控製精度要求比較高，而且上電時間也比較長，需要在 G 極和 D 極之間外加一個的電容 CGD1，CGD1 值遠大於 Crss，功率 MOSFET 內部寄生的非線性電容 Crss 的影響可以忽略，dV/dt 的時間主要由外加的線性度好的外加電容 CGD1 控製，就可以比較準確的控製功率 MOSFET 的 dV/dt 的時間。
圖 6：外加 G、D 電容 CGD1 開通波形
完整的外圍電路，包括 G 極電阻總和 RG，RG 並聯快關斷麻豆国产一区 D1，功率 MOSFET 的 G、S 外加電容 CGS1，G、D 外加電容 CGD1 和電阻 RGD，如圖 7 所示，其中 RG 為 G 極電阻總和，包括功率 MOSFET 內部電阻、驅動芯片上拉電阻和外加串聯電阻 RG1。
圖 7：負載開關和熱插撥完整外圍電路
本文所介紹的 di/dt 、dV/dt 分開單獨控製的方法同樣可以用在其它係統，特別是電機控製應用，在電機控製係統的主功率板，功率 MOSFET 或 IGBT 的驅動電路並聯有外部的電容 CGS 或 CGE，其調節方法和上麵相同：
（1）通過調整驅動電路的 RG，來調整回路的 dV/dt
（2）然後調整驅動電路的並聯電容 CGS，來調整回路的 di/dt
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