用分立元件做MOS管驅動
圖1 分立元件MOS驅動電路
如圖1所示，這是用三極管、麻豆国产一区、電阻、電容分立元件搭建的MOS驅動電路。
分析情況如下：
當VH為高電平，Q4就會導通是的Q1的基極為低電平，同時使得Q1導通，VCC-10V電壓通過麻豆国产一区D1、三極管Q1、麻豆国产一区D2、電阻R1驅動MOS管Q2的G極；
當VH為低電平，Q4就不會導通，所以Q1的基極沒有電流流過也處於截止狀態，所以VCC-10V電壓不會通過三極管Q1，那麽沒有電壓驅動MOS管Q2的G極，由於MOS管Q2內部寄生電容和電容C2的存在，G極處存在累計電荷，要通過三極管Q3和電阻R5釋放掉；
當VL為低電平，Q7基極有電流流過，所以Q5的集電極和發射極導通，導致Q5基極也流過電流，所以VCC-10V電壓通過三極管Q5、麻豆国产一区D3、電阻R7對MOS管的G極進行驅動；
當VL為高電平，Q7基極無電流流過，所以三極管Q7不會導通，那麽導致Q5的發射極和基極處於等電位，Q5的基極也無電流流過，Q5也處於截止狀態，同理三極管Q8和電阻R12組成放電電路對G極電荷進行放電。
分析驅動電路自舉電容的作用
這裏麵有個元件可能剛上手分析的時候，弄不懂作用，是哪個呢？是電容C1。由於電容上的電壓不能突變，這裏利用電容這個特性來更好的驅動MOS管的G極，這裏你肯定有所疑問，那麽沒有這個電容就不能驅動嗎？答案：不能。
在分析電容C1的作用時，首先需要明白，MOS管導通的條件是：
G極對地電壓還是GS之間的電壓差？
由於MOS驅動是G極電壓和S極電壓的電位差，所以當MOS管導通時，VAAA電壓直接加到MOS管的S極，（這裏假設VAAA電壓為12V，G極對地驅動電壓為10V）所以MOS管的GS電壓差為：
10V-12V=-2V，由於GS之間為負電壓，對於N溝道的MOS管，會導致DS之間處於截止狀態，所以需要一個電壓來抬高G極之間的電壓，當然有種方法是直接用高電壓電源直接驅動G極，但是通過MOS管的G極耐壓都是非常有限的；
那麽這個時候電容的作用就體現出來了，當MOS管導通會使得S極電壓為VAAA，由於電容的一端與MOS的S極連接，所以這一端電容電壓瞬間為VAAA，由於電容上電壓不能突變的特性，使得電容另一端電壓也增加了VAAA；
所以電容另一端的電壓約等於VAAA+VCC-10V，如圖2所示，這裏用了麻豆国产一区D1來隔離電容C1上電壓和VCC-10V，這樣的做法使得MOS管導通後，G極驅動電壓克服了S極電壓抬高的原因。
圖2 驅動電路中自舉電容電壓的變化
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