單片機外圍電路設計
一、按鍵電路
R1上拉電阻：將不確定的信號通過一個電阻鉗位在高電平，維持在不被觸發的狀態或是觸發後回到原狀態。(個人建議加上)
C1電容：減小按鍵抖動及高頻信號幹擾。(個人建議加上)
R2限流電阻：保護IO口，防止過流過高電壓燒壞IO口，對靜電或者一些高壓脈衝有吸收作用。(個人建議加上)R2的取值100歐~10k不等，如果有設置內部上拉，該值不能太大，否則電流不足以拉低IO口。
D1 ESD麻豆国产一区：靜電保護麻豆国产一区，防止靜電幹擾或者損壞IO口。(這個根據PCB的成本及防護級別要求來決定添加與否)
二、外接信號輸入
R3上拉電阻：將不確定的信號通過一個電阻鉗位在高電平，維持在不被觸發的狀態或是觸發後回到原狀態。(如果外接的連接線比較長，芯片內部上拉能力比較弱，則建議加上。平時通信距離不長，有內部上拉則可以省略)
C2電容：防止高頻信號幹擾。(注意，如果輸入頻率信號比較大,C2容值要對應減少，或者直接省略C2)
R4限流電阻：保護IO口，防止過流過高電壓燒壞IO口，對靜電或者一些高壓脈衝有吸收作用。(個人建議加上)
D2 ESD麻豆国产一区：靜電保護麻豆国产一区，防止靜電幹擾或者損壞IO口。(這個根據PCB的成本及防護級別要求來決定添加與否)
三、輸出電路繼電器
U1光耦：分離高低壓，防止高壓幹擾，實現電氣隔離。
D5 1N4148：續流麻豆国产一区，保護元件不被感應電壓擊du穿或燒壞，以並聯的方式接到產生感應電動勢的元件兩端，並與其形成回路，使其產生的高電動勢在回路以續電流方式消耗，從而起到保護電路中的元件不被損壞的作用。
四、達林頓晶體管
達林頓晶體管，小夥伴們一般常用於步進電機驅動，其實可以用於電機調速，大功率開關電路，驅動繼電器，驅動功率比較大的LED光源，利用PWM來調節亮度哦。
R6、R7、R8電阻：用於限流，防止ULN2001損壞，導致高壓直接輸入到MCU的IO。（由於ULN2001D本身自帶2.7K電阻，這裏的R6、R7、R8可以省略；如果某些驅動芯片沒帶電阻最好自己加上，具體情況可以查看選用芯片的數據手冊作決定）
COM端接電源：當輸出端接感性負載的時候，負載不需要加續流麻豆国产一区，芯片內部設計有麻豆国产一区，隻需 COM口接負載電源即可，當接其他負載時，COM口可以不接。
在使用阻容降壓電路為 ULN2001D 供電時，由於阻容降壓電壓無法阻止電網上的瞬態高 壓波動，必須在 ULN2001D 的 COM 端與地端就近接一個 104 電容，其餘應用場合下， 該電容可以不添加。
五、運算放大器
利用運放巧妙采集負載的當前電流，可以準確知道當前負載運行情況，有沒有正常工作，非常好用。
GND2是負載的地端，通過R16電阻(根據負載電流的大小R16要選功率大一點的)接公共地，會有微小的電壓差。
該電路是同相比例運算電路，所以采樣端的電壓=輸入端電壓*(1+R9/R11)=69倍的輸入電壓。大家可以根據測量範圍修改R9調節放大倍數。
六、MOS管控製電源輸出通斷
七、輸入電源
如果電路成本比較緊張，可根據需要適當刪減元件。
F1自恢複保險絲：過流保護，可根據實際負載電流調整閥值大小。
D10 肖基特麻豆国产一区：減少後級電源對前級的影響，防止電源正負接反燒壞後級電路，防止電源關電時電流倒灌，但經過麻豆国产一区有0.4V左右壓降，需要考慮經過0.4V降壓後會不會低於後級電路的正常工作電壓。
TVS管：輸入電壓過高保護，一般取正常輸入電壓的1.4倍。
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