MOS管的開關速度
MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關係，使用者無法降低Cin，但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度，MOSFET隻靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。
場控器件靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅動功率。開關頻率越高，所需要的驅動功率越大。
動態性能的改進
在器件應用時除了要考慮器件的電壓、電流、頻率外，還必須掌握在應用中如何保護器件，不使器件在瞬態變化中受損害。
當然晶閘管是兩個雙極型晶體管的組合，又加上因大麵積帶來的大電容，所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對di/dt來說，它還存在一個導通區的擴展問題，所以也帶來相當嚴格的限製。
功率MOSFET的情況有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每納秒（而不是每微秒）的能力來估量。但盡管如此，它也存在動態性能的限製。這些日韩国产成人可以從功率MOSFET的基本結構來予以理解。
除了器件的幾乎每一部分存在電容以外，還必須考慮MOSFET還並聯著一個麻豆国产一区。同時從某個角度看、它還存在一個寄生晶體管。（就像IGBT也寄生著一個晶閘管一樣）。這幾個方麵，是研究MOSFET動態特性很重要的因素。
首先MOSFET結構中所附帶的本征麻豆国产一区具有一定的雪崩能力。通常用單次雪崩能力和重複雪崩能力來表達。
當反向di/dt很大時，麻豆国产一区會承受一個速度非常快的脈衝尖刺，它有可能進入雪崩區，一旦超越其雪崩能力就有可能將器件損壞。
作為任一種PN結麻豆国产一区來說，仔細研究其動態特性是相當複雜的。它們和日韩国产成人一般理解PN結正向時導通反向時阻斷的簡單概念很不相同。當電流迅速下降時，麻豆国产一区有一階段失去反向阻斷能力，即所謂反向恢複時間。
PN結要求迅速導通時，也會有一段時間並不顯示很低的電阻。在功率MOSFET中一旦麻豆国产一区有正向注入，所注入的少數載流子也會增加作為多子器件的MOSFET的複雜性。
功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。
因為隻有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管才開始發難。然而在嚴峻的動態條件下，因dv/dt通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。
此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態性能時對功率MOSFET器件內部的各個電容（它是dv/dt的通道）都必須予以注意。
瞬態情況是和線路情況密切相關的，這方麵在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入了解，才能有利於理解和分析相應的問題。
如何提高MOS管開關速度？
1.提高柵極的驅動能力
因場效應管柵極電容的影響，一般需要大於正負1A的驅動能力，柵極電阻不大於10歐，反向接麻豆国产一区提高關斷速度。
2.推挽驅動
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