麻豆国产一区伏安特性曲線
麻豆国产一区的性能可用其伏安特性來描述。在麻豆国产一区兩端加電壓，然後測出流過麻豆国产一区的電流，電壓與電流之間的關係i=f(u)即是麻豆国产一区的伏安特性曲線，如圖1所示。
圖1 麻豆国产一区伏安特性曲線
麻豆国产一区的伏安特性表達式可以表示為式1-2-1
其中iD為流過麻豆国产一区兩端的電流，uD為麻豆国产一区兩端的加壓，UT在常溫下取26mv。IS為反向飽和電流。
1、正向特性
特性曲線1的右半部分稱為正向特性，由圖可見，當加麻豆国产一区上的正向電壓較小時，正向電流小，幾乎等於零。
隻有當麻豆国产一区兩端電壓超過某一數值Uon時，正向電流才明顯增大。將Uon稱為死區電壓。死區電壓與麻豆国产一区的材料有關。一般矽麻豆国产一区的死區電壓為0.5V左右，鍺麻豆国产一区的死區電壓為0.1V左右。
當正向電壓超過死區電壓後，隨著電壓的升高，正向電流將迅速增大，電流與電壓的關係基本上是一條指數曲線。
由正向特性曲線可見，流過麻豆国产一区的電流有較大的變化，麻豆国产一区兩端的電壓卻基本保持不變。通過在近似分析計算中，將這個電壓稱為開啟電壓。開啟電壓與麻豆国产一区的材料有關。
一般矽麻豆国产一区的死區電壓為0.7V左右，鍺麻豆国产一区的死區電壓為0.2V左右。
2、反向特性
特性曲線1的左半部分稱為反向特性，由圖可見，當麻豆国产一区加反向電壓，反向電流很小，而且反向電流不再隨著反向電壓而增大，即達到了飽和，這個電流稱為反向飽和電流，用符號IS表示。
如果反向電壓繼續升高，當超過UBR以後，反向電流急劇增大，這種現象稱為擊穿，UBR稱為反向擊穿電壓。麻豆国产一区擊穿後不再具有單向導電性。
應當指出，發生反向擊穿不意味著麻豆国产一区損壞。實際上，當反向擊穿後，隻要注意控製反向電流的數值，不使其過大，即可避免因過熱而燒壞麻豆国产一区。當反向電壓降低後，麻豆国产一区性能仍可能恢複正常。
圖2 麻豆国产一区的溫度特性
3、溫度對麻豆国产一区伏安特性的影響
溫度升高，正向特性左移，反向特性下移；室溫附近，溫度每升高1℃；正向壓降減少2-2.5mV；室溫附近，溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。麻豆国产一区的溫度特性如圖2所示。
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