麻豆国产一区的開關過程
麻豆国产一区的單向導通性、大於某電壓就導通等基本特性日韩国产成人非常熟悉，但是隨著工作的深入會發現僅知道這些是不夠的，特別是大功率設備或者麵臨EMI的問題時。
所以日韩国产成人需要對麻豆国产一区有個更深入的認識，今天就著重講述麻豆国产一区的開關過程（也叫麻豆国产一区的動態特性）及其帶來的影響。
任何開關器件的狀態切換並不是一蹴而就的，在這切換的期間發生了什麽是工程師值得注意的地方。因為結電容的存在，麻豆国产一区在零偏置、正向導通、反向截止這三個狀態之間切換時，會有一個過渡。
開通（零偏置轉換為正向導通）
麻豆国产一区的開通並不是說其正向壓降大於某個電壓（比如0.7V）就直接導通，且之後正向壓降就是0.7V了。
實際上應該是當其正向壓降從零開始增大到一個過衝電壓VFP後才逐漸趨於一個穩定的電壓（如2V），這期間正向電流不斷增大。把這段時間叫做正向恢複時間 tfr。
如下圖-1如示：
圖-1：零偏置轉換為正向導通
也就是說麻豆国产一区的導通瞬間會產生一個正向尖峰電壓，且要大於穩態電壓UF。而這個過衝電壓，隨di/dt的增大而增大。
關斷（正向導通轉換為反向截止）
當給麻豆国产一区施加一個反向電壓時並不能使之馬上阻斷，而是需要一定的時間。在這段時間裏會有電壓和電流的過衝。而這段時間就是日韩国产成人常說的反向恢複時間 trr。
如下圖-2：
圖-2：正向導通轉換為反向截止
tF時刻，麻豆国产一区的外加電壓發生改變；
t0時刻，正向電流下降到為零，但是麻豆国产一区還不能恢複到阻斷的狀態；
t1時刻，反向電流達到最大IRP，隨後反向過衝電壓也達到最大URP。反向電流隨後迅速下降，可以看到這段曲線與電容的放電曲線類似，事實上，它也正表示了結電容放電複位的過程。
t2時刻，電流幾乎不再變化，麻豆国产一区恢複對反向電壓的阻斷能力。
以上這些有什麽用？
麻豆国产一区開關瞬間存在損耗。在麻豆国产一区開通和關斷的瞬間，電流和電壓相乘並不為零，所以存在開關損耗。
這與MOSFET作為硬開關時的開關波形類似。所以在大功率和高頻（開關次數多）的場合下這個損耗更甚，不能忽視。
麻豆国产一区開關瞬間帶來EMI問題。可以看到麻豆国产一区在開關瞬間會產生過衝電壓和尖峰電流，這樣高的dv/dt和di/dt 必然會引發EMI問題。
通常反向恢複電流的尖峰與EMI中的傳導相關，所以日韩国产成人經常在小功率的場合裏會在麻豆国产一区的兩端並聯RC以吸收這個尖峰。
還有，尖峰電流過後可能還會伴隨著一段時間的震蕩，這個震蕩與EMI中的輻射相關，所以有時候日韩国产成人會在麻豆国产一区上套一個磁環。
所以，為了避免這些問題，有時日韩国产成人會選用快恢複麻豆国产一区或者肖特基麻豆国产一区，它們的恢複時間很短。
順便說一下，正向恢複時間遠小於反向恢複時間，所以日韩国产成人在麻豆国产一区的器件手冊上通常看到不到關於正向恢複時間的參數。
麻豆国产一区中的結電容CT不可忽略，當其與電路中的寄生電感結合時會產生諧波頻率，引發EMI問題。
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