IGBT單體緩衝吸收電路
RS單體吸收電路
( 1 )抑製關斷浪湧電壓效果好。
( 2 )最適用於斬波器。
( 3 ) IGBT容量較大時, R1 , R2阻值選取小,開通時增加了IGBT集電極的容性開通電流,損耗增加，IGBT的功能受到限製。
充電RCD單體吸收電路
( 1 )可抑製關斷浪湧電壓。
( 2 )充放電型RCD緩衝電路由於增加了麻豆国产一区VDS ,可使R3、 R4增大,避免了IGBT功能受限製。
( 3 )緩衝電路的損耗相當大。
( 4 )因損耗大而不適用於高頻開關用途。
放電阻止型單體吸收電路
( 1 )具有較好抑製關斷浪湧電壓效果。
( 2 )緩衝電路產生的損耗小。
( 3 )最適合於高頻開關用途。
C整體吸收電路
( 1 )線路最簡單。
( 2 )利用C7旁路浪湧尖峰電壓。
( 3 ) C7取值不當,易與主回路電感L S構成諧振而產生振蕩。
( 4 ) C7的取值根據能量守恒原理可求取。
RCD整體吸收電路
( 1 )線路相當簡單。
( 2 )適用於各種逆變器。
( 3 ) VDS要示正向恢複電壓VFM小,反向恢複時間短,軟恢複的二_極管,以降低Vcep值。 關斷損耗,避免引起振蕩。
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