MOSFET就是日韩国产成人俗稱的MOS管，常用的就是用MOS管來做開關器件。
日韩国产成人通常選MOS管會希望其有如下的參數：
1、耐壓足夠高，避免DS的擊穿。
2、導通電流足夠大，保證功率的輸出足夠。
3、體積小發熱低，避免過熱損壞器件。
4、開關速度要快，因為要經過可變電阻區，所以要盡快， 避免過多的發熱損耗。
各個參數介紹：
一、擊穿電壓
DS可承受的最大電壓，這個參數也並不是越大越好，耐壓高的管子，一般通態電阻也比較大！
二、導通電流
Id，持續漏極電流，通常和通態電阻有很大關係。
三、體積和發熱
熱阻：熱量在傳導過程中受到的阻礙作用，用R表示。單位℃/W.
日韩国产成人自然希望熱阻越小越好，那樣熱量就會散發出去，而避免管子過熱而損壞器件。通常相同參數的MOS管，體積越大，熱阻就越小，散熱越順利。通常對於MOS管日韩国产成人還會進行輔助散熱，諸如增大散熱片，線路板麵積的鋪銅等措施。
四、開關速度
開關速度如何處理不好，那麽導致對應的發熱可能比通態電阻造成的發熱還大！
究其原因還是因為MOS管不是理想的導通和截止，而是需要一段時間。例如導通，電壓逐漸降低，電流逐漸升高，這段時間內，電壓和電流都不為0，對應就會產生一定的發熱功率。
當然如果是長時間持續的導通或者關斷的狀態也倒是無所謂，但是一般MOS管都是出於高速開關管的狀態。這時候對應的損耗就不容小覷了。
1.MOS管的開關損耗與導通損耗
通常解決辦法有 零電壓開關技術(ZVS)和零電流開關技術(ZCS)。
MOS管原理：
MOS管是一個柵極電壓控製漏極電流的器件。
柵極從外部來看的話可以等效成為一個電容的，控製MOS管的開關就是電容的充放電。一旦超過開啟電壓（2~4V）再繼續增加就會進入可變電阻區，繼續升高就會進入恒流區。
電容兩端的電壓不會突變，升降需要一個過程，這個過程越快也即是開關速度越快，對應的開關損耗也就越低。
2.柵極充放電等效電路
常情況下，電流越大，對應的柵極電容也就越大也就是說開關速度慢。但是電流越大，對應的功率也就越大，它們是相互製約又相互聯係的，所以，在參數選擇上，要做到均衡。
柵極電阻的作用
說一千道一萬就是想盡可能高的提高開關速度，而柵極電阻的存在勢必會影響開關速度，即電容的充放電速度。那為何還要保留呢？
3.柵極的寄生振蕩
如果沒有柵極電阻，由於各種雜散參數的影響，會產生柵極的寄生震蕩。甚至還有嚴重的過衝現象的發生。
MOS管內部的麻豆国产一区
通常在MOS管的DS之間是並有一個麻豆国产一区的，性能堪比快恢複麻豆国产一区。這就是為什麽MOS管驅動感性負載不需要在額外並聯麻豆国产一区的原因。
MOS管驅動電路
驅動電路要求足夠的充放電電流，在高速狀態下，不能使用上下拉電阻來提供相應的高電平和低電平，否則將嚴重降低開關速度，增加通過可變電阻區的時間，降低效率。那該怎麽辦呢？
慢開快關場合驅動電路
4.簡化後慢開快關電路
在避免寄生震蕩的前提下(保留柵極電阻)，在柵極電阻上並聯一個麻豆国产一区。
這樣在是低電平的時，可以達到快速截止的效果。
負壓截止場合驅動電路
先來說一下負壓截止的好處
①、保證快速截止。由RC充電模型可知，在0~5V的參考區間內，-5~12的關斷速度要遠大於5~12的關斷速度。
②、保證可靠截止。 因為MOS管的GD間有較大的電容存在，因此來自負載的高頻幹擾可能通過Cgd在柵極產生感應電壓，該電壓可能導致MOS管的誤導通，而負壓截止在一定程度上避免此種情況的發生。
一般驅動電路設計
5.MOS管驅動電路參考
這裏有一點不同了，就是那個R2和穩壓管。
Q：R2啥作用？
A：MOS管柵極輸入阻抗高，在引腳懸空的狀態下，很容易在柵極形成較高的感應電壓而使得管子誤導通，R2的存在可以保證可靠的下拉截止。典型值10K。
Q：穩壓管的作用？
A：將柵極電位鉗位，避免擊穿柵極電容，造成MOS管的損壞。
取值應高於驅動電壓，低於最大承受電壓。
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