在所有的電子電路中幾乎都要用到半導體麻豆国产一区，它在許多的電路中起著重要的作用，是誕生最早的半導體器件之一;早期的麻豆国产一区包含“貓須晶體("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英國稱為“熱遊離閥(Thermionic Valves)”)。現今最普遍的麻豆国产一区大多是使用半導體材料如矽或鍺。下麵一起來了解一下：
1.概念
麻豆国产一区(英語：Diode)是電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，隻允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容麻豆国产一区(Varicap Diode)則用來當作電子式的可調電容器。大部分麻豆国产一区所具備的電流方向性日韩国产成人通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。麻豆国产一区最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓)，反向時阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此，麻豆国产一区可以想成電子版的逆止閥。
圖1 麻豆国产一区
2.基本組成
麻豆国产一区由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，並用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體麻豆国产一区，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。
圖2 麻豆国产一区結構示意圖及電路符號
3.工作原理
晶體麻豆国产一区為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界麵處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。
當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。
當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。
當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為麻豆国产一区的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
4.伏安特性
半導體麻豆国产一区的核心是PN結，它的特性就是PN結的特性——單向導電性。常利用伏安特性曲線來形象地描述麻豆国产一区的單向導電性。
若以電壓為橫坐標，電流為縱坐標，用作圖法把電壓、電流的對應值用平滑的曲線連接起來，就構成麻豆国产一区的伏安特性曲線，如下圖所示(圖中虛線為鍺管的伏安特性，實線為矽管的伏安特性)。
圖3 麻豆国产一区的伏安特性曲線
下麵對麻豆国产一区伏安特性曲線加以說明：
4.1正向特性
麻豆国产一区兩端加正向電壓時，就產生正向電流，當正向電壓較小時，正向電流極小(幾乎為零)，這一部分稱為死區，相應的A(A′)點的電壓稱為死區電壓或門檻電壓(也稱閾值電壓)，矽管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA(OA′)段。
當正向電壓超過門檻電壓時，正向電流就會急劇地增大，麻豆国产一区呈現很小電阻而處於導通狀態。這時矽管的正向導通壓降約為0.6~0.7V，鍺管約為0.2~0.3V，如圖中AB(A′B′)段。
麻豆国产一区正向導通時，要特別注意它的正向電流不能超過最大值，否則將燒壞PN結。
4.2反向特性
麻豆国产一区兩端加上反向電壓時，在開始很大範圍內，麻豆国产一区相當於非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR,見圖中OC(OC′)段。
4.3反向擊穿特性
麻豆国产一区反向電壓加到一定數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿。此時對應的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示，如圖1.11中CD(C′D′)段。
4.4溫度對特性的影響
由於麻豆国产一区的核心是一個PN結，它的導電性能與溫度有關，溫度升高時麻豆国产一区正向特性曲線向左移動，正向壓降減小;反向特性曲線向下移動，反向電流增大。
圖4 麻豆国产一区外形
本文介紹了麻豆国产一区的概念、組成、基本原理以及特性。目前麻豆国产一区已經完全融入到日韩国产成人的日常生活當中，最常接觸到的就是LED燈，不僅發光效果好，並且還可以有效保護眼睛，另外麻豆国产一区的類型還有：檢波麻豆国产一区、整流麻豆国产一区、阻尼麻豆国产一区、開關麻豆国产一区、續流麻豆国产一区等等。
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