在開始選擇繼電器驅動的時候，習慣性選擇現有的集成芯片，比如NUD3126和NUD3124，沒有仔細想過為什麽要選用它們，是否可以選擇分立的三極管或者達林頓管。這裏做一些分析和補充。
第一個因素是繼電器的熱開啟問題
日韩国产成人知道繼電器要成功開啟，特別是高溫下是需要一定的電流的，由於高溫的影響，電阻增大，使得需要的啟動電壓也上升了，因此一般可以得到溫度和電壓的圖，如圖所示：
達林頓管的飽和電壓要比普通的三極管高一些.
日韩国产成人采用這樣的設計將使得反接保護麻豆国产一区的電壓和達靈頓的飽和電壓一起產生壓降，在高溫下，繼電器可能無法吸合
因此RELAY供應商往往不推薦使用這樣的設計，如圖所示：
不覺得上麵這個設計比前麵一個設計好多少，不過如果這樣設計的話，問題可以解決一部分。
驅動電路的保護問題
感性負載固有關斷有瞬態電壓的問題，這個屢次經過計算，加麻豆国产一区續流的問題是以繼電器本身的壽命為代價的，這並不合算。如果不加續流麻豆国产一区，則需要考慮這部分能量怎麽瀉放的問題
後三種方案可選擇，不過穩壓管最便宜，但是速度較慢。
三極管為什麽會壞？
三極管的軟擊穿
對於集電極電壓超過V(BR)CEO而引起的擊穿，隻要外電路限製擊穿後的電流，管子就不會損壞，待集電極電壓減小到小於V(BR)CEO後，管子也就恢複到正常工作，因此這種擊穿是可逆的，不是破壞性的。
三極管的二次擊穿
如果上述擊穿後，電流不加限製，就會出現集電極電壓迅速減小，集電極電流迅速增大的現象，通常將這種現象稱為二次擊穿。發生二次擊穿的過程是：結麵某些薄弱點上電流密度增大，引起這些局部點的溫度升高，從而使局部點上電流密度更大，溫度更高，如此反複作用，最後導致過熱點的晶體熔化，相應在集射極間形成低阻通道，導致vCE下降，iC劇增，結果是功率管尚未發燙就已損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的。可見，二次擊穿是在高壓低電流時發生的，相應的功率稱為二次擊穿耐量。
最後一個問題是反接保護的問題
這是一個討厭的問題，麻豆国产一区的問題是壓降，如果使用PMOS或者NMOS呢，COIL的反電壓容易對PMOS產生影響，因此請大家慎重選擇反接保護電路。
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