p-n結的開關速度：
p-n結具有很好的單向導電性，因此，它本身就是一個很好的電流開關——正向電流很大、反向電流很小。由於通過理想p-n結的電流（正向電流和反向電流）基本上都是少數載流子的擴散電流，所以p-n結在開、關時其正向和反向電流大小的變化，將主要決定於p-n結兩邊擴散區中存儲的少數載流子濃度梯度的變化。
p-n結的開關速度即由開關時間來表征，而開關時間包括有開啟時間（上升時間）和關斷時間（反向恢複時間）兩個部分。
當p-n結由反偏轉換到正偏（即開啟）時，由於首先要對p-n結充電，則立即就有較大的電流通過，然後電壓再逐漸上升、並增大到正偏電壓，從而電流開通所需要的時間幾乎為0，這就是說，p-n結的開啟時間（上升時間）可以忽略。但是當在導通的p-n結上突然加上反向電壓時，它卻不會立刻就關斷——電流截止，這是由於事先p-n結的兩邊擴散區中存儲有大量的非平衡少數載流子（這是p-n結導通的必備條件），在反向電壓加上以後，隻有當這些存儲的非平衡少數載流子逐漸消失之後，p-n結才進入到電流截止的狀態，所以關斷時間（反向恢複時間）一般是較長的。因此可以說，p-n結的開關時間主要就是反向恢複時間。
實際上，p-n結的關斷過程包含著電流變化規律完全不同的兩個階段：首先是反向電流恒定的階段（相應的時間稱為存儲時間），然後是反向電流衰減到0的階段（相應的時間稱為下降時間）。因此有：
[開關時間]≈[反向恢複時間] = (存儲時間)+(下降時間)
在存儲時間過程中，擴散區中存儲的非平衡少數載流子逐漸減少（由於反向電壓的抽出作用以及少數載流子的擴散與複合作用所致），但是在這個少數載流子數量不斷減小的過程中，卻能夠保持少數載流子反向濃度分布的梯度不變，從而可以保持關斷時的反向擴散電流恒定。當擴散區中存儲的非平衡少數載流子數量減少到再也不能維持恒定的反向濃度梯度時，就進入到了下降時間的過程，這時將進一步通過擴散與複合，使非平衡少數載流子濃度梯度不斷減小，存儲的非平衡少數載流子數量也不斷減少，相應地反向電流也不斷降低、直至為0——截止。下降時間過程將造成反向電流有一個拖尾。
為了提高開關速度，就應該減短存儲時間和下降時間；采取的主要措施就是：
（1）減少非平衡少數載流子的存儲數量；
（2）加快所存儲的少數載流子的消失過程。從器件本身來說，提高開關速度的主要措施是減短擴散區中少數載流子的壽命，其次是減小p-n結的麵積和減短兩邊擴散區的長度（即縮小非平衡少數載流子的存儲空間）；這些措施可有效地減短存儲時間。
快恢複麻豆国产一区（Fast-Recovary Diode）：
這是一種p-n結超高速開關麻豆国产一区。實際上，它是通過在p-n結中合理地摻入適當的複合中心雜質，來獲得很短的反向恢複時間的。在製作快恢複麻豆国产一区時，所采用的Si材料的少數載流子壽命一般也都是很短的（為0.5～5ns）。
如果采用直接帶隙半導體（例如GaAs）來製作麻豆国产一区，因為這類半導體中載流子的壽命要比Si中的短得多（因為是直接複合之故），所以能夠得到反向恢複時間遠小於Si/p-n結麻豆国产一区的快恢複麻豆国产一区（GaAs/p-n結麻豆国产一区的反向恢複時間≤0.1ns）。當然，如果用Schottky麻豆国产一区來作為開關，那麽速度必然很高，因為它本身就是一種多數載流子器件，不存在少數載流子的存儲問題，所以其反向恢複時間幾乎為0.
電荷存儲麻豆国产一区（Charge-Storage Diode）：
這是與快恢複麻豆国产一区在性能上恰恰相反的一種p-n結開關麻豆国产一区。電荷存儲麻豆国产一区的反向恢複時間（特別是存儲時間）相對較長，這就意味著，在導通時其中存儲有數量較多的非平衡載流子電荷。
階躍恢複麻豆国产一区（Step-Recovery Diode）：
這是存儲時間較長、下降時間非常短（ps皮秒數量級）的一種電荷存儲麻豆国产一区；它在關斷時的電流波形是陡峭（階躍式）變化的，所以特稱為階躍恢複麻豆国产一区。
為了實現p-n結麻豆国产一区的下降時間≈0，可在擴散區中設置由勢壘區指向擴散區的內建電場來達到。因為這種方向的內建電場雖然對於少數載流子的正向擴散具有加速作用，但是對於反向的擴散卻具有阻擋作用，即在p-n結關斷時具有拉住少數載流子、不讓它們流入勢壘區的作用；這樣一來，在全部存儲的少數載流子消失之前，在勢壘區邊緣處的少數載流子濃度不可能變為0，於是就必能得到此處的少數載流子濃度梯度=0，即反向擴散電流很快下降到0，所以下降時間≈0。
階躍恢複麻豆国产一区中的內建電場可通過不均勻的摻雜技術來引入。實際上，該麻豆国产一区在結構上往往就是界麵附近處的摻雜濃度分布非常陡峭的p-i-n結（通常可采用外延技術來形成）。因為階躍恢複麻豆国产一区具有這種較為特殊的、與變容麻豆国产一区相似的雜質濃度分布，所以該麻豆国产一区也可以看成是一種特殊的變容麻豆国产一区。
在製作電荷存儲麻豆国产一区和階躍恢複麻豆国产一区時所采用的Si，往往是少數載流子壽命較長的材料（為0.5～5μs，比快恢複麻豆国产一区的要長約1000倍），用以獲得較多的存儲電荷。
一般，階躍恢複麻豆国产一区的正向壓降較低，反向擊穿電壓較高（采用p-i-n結構之故）。但由於其瞬態響應的特殊性（反向電流波形陡峭），因此它是一種具有高度非線性特性的電抗元件，故在電路應用中能夠產生出豐富的諧波分量。從而，階躍恢複麻豆国产一区可用於倍頻器、高速脈衝整形與發生器以及高頻諧波發生器等。在用作倍頻器時，在高達20次倍頻中仍然能夠保持較高的效率，故它是一種優良的微波倍頻元件。
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