恒壓（齊納）麻豆国产一区
齊納麻豆国产一区利用電流變化時電壓恒定的特點，用於恒壓電路，作為防止IC免受浪湧電流、靜電損壞的保護元件使用。其特點是一般的麻豆国产一区是正向使用，而齊納麻豆国产一区是反向使用。反向擊穿電壓稱為齊納電壓 (VZ) 、此時的電流值稱為齊納電流 (IZ) 。近年來隨著電子設備的微細化／高功能化的不斷發展，要求保護元件具備更高性能，在這種趨勢下逐漸拉大與TVS (Transient Voltage Suppressor) 的差別。
特點：
隻有ZD利用了反向特性。
高頻麻豆国产一区
引腳麻豆国产一区舉例
由電阻值高的I型半導體製成，其特點是引腳間電容(CT)非常小。正向電壓條件下,具有可變電阻特性，反向電壓條件下,具有電容器特性。利用其高頻特性（引腳間電容小，因此對通信線沒有影響），作為高頻信號開關（帶天線的移動設備），衰減器，AGC電路用可變電阻元件使用。
引腳間電容 (CT) ？
麻豆国产一区引腳間施加反向電壓時，存儲的電荷量稱為引腳間電容(CT)。接合P層和N層，則空穴與電子結合，在界麵形成電氣特性為中性的耗盡層。耗盡層起到寄生電容器的作用，其電容值(CT) 與PN結的麵積成正比，與距離 (d) 成反比。距離由P層、N層濃度等因素設計而成。向麻豆国产一区施加電壓，則耗盡層擴大，CT下降。根據使用的應用不同，其要求的CT值不同。
特點：
耗盡層越寬（d大）CT越低。
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