一、認識麻豆国产一区
麻豆国产一区（Diode）是常用的半導體組件之一。麻豆国产一区有正、負兩個引腳。正端成為陽極A，負端成為陰極K，故有麻豆国产一区之稱。是一種具有單方向導電特性的無源半導體器件。
事實上，一個PN結就形成了一個麻豆国产一区。製造者先生成N型矽晶體，然後把它突變成P型晶體，用玻璃或者塑料將結合的晶體封裝。用這些結合在一起的矽片製造單向門的原理是當外電壓加到器件上時，使N型矽和P型矽總的電荷載流子相互作用，電流隻能單向流動。
1.1 正向偏置
當一個麻豆国产一区如下圖連接到一個電池，N型側的電子和P型側的空穴都被由電池提供的電場推向中間（PN結）。電子與空穴結合，電流通過麻豆国产一区。這時日韩国产成人說麻豆国产一区正向偏置。
2.2 反向偏置
當一個麻豆国产一区如下圖連接到一個電池，P型側的空穴被向左推，N型側的電子被向右推。這導致在PN結附近出現了一個沒有載流子的空區域，稱為耗盡區。
二、伏安特性
麻豆国产一区最重要的特性就是單向導電性。日韩国产成人用伏安特性來描述就會一目了然了。如下圖
2.1 正向特性
坐標軸右上描述了正向特性。當U較小時，I依然等於0，這段電壓叫做死區電壓，這時麻豆国产一区上雖然有電壓，但是這個電壓不足以使PN結導通，麻豆国产一区上依舊沒有電流（紅色虛線代表鍺麻豆国产一区，藍色實線代表矽麻豆国产一区，死區電壓：鍺麻豆国产一区0.2V0.4V,矽麻豆国产一区0.5V0.7V）。當U超過死區電壓，電流就會急劇增大，這時日韩国产成人稱它為線性區域。
2.2 反向特性
坐標軸左下描述了反向特性。麻豆国产一区加反向電壓時，反向電流很小，而且當反向電壓超過零點幾伏後，反向電流不再隨反向電壓的增大而增大，即達到了飽和，這個電流稱為反向飽和電流。
2.3 反向擊穿特性
當麻豆国产一区反向電壓增加到某一個數值時，反向電流急劇增長。 若反向電流增長到一定數值，麻豆国产一区將會發熱擊穿，熱擊穿的麻豆国产一区將是不可逆的損壞。隻要控製反向電流的數值，則當反向電壓降低時，麻豆国产一区的性能可能恢複正常。基於此，日韩国产成人可以看到，在反向擊穿區，電壓基本是穩定的，而電流變化卻很大，即具有穩壓特性，隻要有效防止麻豆国产一区發生熱擊穿，就成為具有穩壓特性的器件，穩壓管就是根據這個特性製造出來的。
三、麻豆国产一区分類
1整流麻豆国产一区
整流麻豆国产一区是利用麻豆国产一区單向導電的特性，將交流電源整流成脈動直流的麻豆国产一区。整流麻豆国产一区正向工作電流較大，由於其結電容較大，因此工作頻率一般小於3kHz。
2檢波麻豆国产一区
檢波麻豆国产一区是用於把疊加在高頻載波中的低頻信號分離出來的器件，具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。要求正向壓降小、檢波效率高、結電容小、頻率特性好。
3開關麻豆国产一区
開關麻豆国产一区導通相當於開關閉合，截止時相當於開關斷開。其特點是反向恢複時間短，能滿足高頻或者超高頻應用需要。
4穩壓麻豆国产一区
穩壓麻豆国产一区又名齊納麻豆国产一区（Zener Diode），是利用矽麻豆国产一区反向擊穿特性來穩定直流電壓的，即在反向擊穿時，通過它的電流盡管在很大範圍內改變，但其兩端的電壓幾乎不變。
5快速恢複麻豆国产一区
快速恢複麻豆国产一区（Fast Recovery Diode,FRD）是一種開關特性好、反向恢複時間短的麻豆国产一区。主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電路中，作為高頻整流、續流麻豆国产一区或阻尼麻豆国产一区使用。
6瞬態電壓抑製麻豆国产一区
瞬態電壓抑製麻豆国产一区又被稱為瞬態電壓抑製器（TransientVoltage Suppressor，TVS）。它是在穩壓麻豆国产一区工藝上發展起來的器件，主要應用於快速過壓保護電路中。其響應速度極快、鉗位電壓穩定、體積小、價格低。
7發光麻豆国产一区
發光麻豆国产一区（Light Emitting Diode，LED）顧名思義，是一種能發光的麻豆国产一区。發光麻豆国产一区將電能轉化成光能，有不同的顏色。
8恒流麻豆国产一区
恒流麻豆国产一区（Current Regurative Diode）又被稱為限流麻豆国产一区（Current Limiting Diode）。它能在很寬的電壓範圍內輸出恒定的電流，並具有很高的動態阻抗。
9變容麻豆国产一区
變容麻豆国产一区（Variable Capacitance Diode,VCD）是利用方向偏壓改變PN結電容量的特殊半導體。變容麻豆国产一区相當於一個容量可變的電容器。其兩個電極之間的PN結電容大小隨加到變容麻豆国产一区兩端反向電壓大小的改變而改變。反向電壓越高，結電容越小。
10光敏麻豆国产一区
光敏麻豆国产一区，又叫光電麻豆国产一区（英語：photodiode ）是一種能夠將光根據使用方式，轉換成電流或者電壓信號的光探測器。管芯常使用一個具有光敏特征的PN結，對光的變化非常敏感，具有單向導電性，而且光強不同的時候會改變電學特性，因此，可以利用光照強弱來改變電路中的電流。
11磁敏麻豆国产一区
磁敏麻豆国产一区是采用電子與空穴雙重注人效應及複合效應原理工作的，具有很高的靈敏度。由於磁敏麻豆国产一区在正、負磁場作用下，其輸出信號增量的方向不同，因此利用這一點可以判別磁場方向。磁敏麻豆国产一区是其特點是體積小， 靈敏度高。磁敏麻豆国产一区，較長的管腳為正極區， 較短的管腳為負極區。
12肖特基麻豆国产一区
肖特基麻豆国产一区是肖特基勢壘麻豆国产一区（Schottky Diode）。其反向恢複時間短（可以小到幾納秒），正向導通電壓僅為0.4V左右，而整流電流卻可以達到幾千安培。
13雙向觸發麻豆国产一区
雙向觸發麻豆国产一区也稱二端交流器件（DIAC）。其是一種矽雙向電壓觸發開關器件，當雙向觸發麻豆国产一区兩端施加的電壓超過其擊穿電壓時，兩端即導通，導通將持續到電流中斷或降到器件的最小保持電流後才會再次關斷。
四、麻豆国产一区選型需要關注的參數
1額定正向工作電流IF
額定正向工作電流是指麻豆国产一区長期連續工作時允許通過的最大正向電流值。
2正向浪湧峰值電流IFSM
允許流過的最大正向電流。最大浪湧電流不是麻豆国产一区正常工作時的電流，而是瞬間電流，這個值通常為額定正向工作電流的20倍左右。
3反向擊穿電壓VBR
加載麻豆国产一区兩端的反向電壓高到一定值時，會擊穿管子，失去單向導電能力。反向擊穿電壓是保證麻豆国产一区不被擊穿而給出的峰值電壓（也稱耐壓值）。
4結電容Cj
此電容由兩部分組成：勢壘電容CB和擴散電容CD。
5最大穩態功耗PM
這個參數對穩壓麻豆国产一区尤為重要。是指穩壓麻豆国产一区擊穿後穩壓麻豆国产一区本身所允許消耗功率的最大值。實際使用如果超過這個值，穩壓麻豆国产一区將會損壞。
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