該文講述了麻豆国产一区正向浪湧電流測試的基本要求和標準測試方法,針對標準測試方法存在的不足,設計實現了采用信號控製、電容儲能和大功率場效應管晶體管電流驅動的電路解決方案,簡潔而又高效地實現了麻豆国产一区正向浪湧電流的測試。
正弦半波脈衝電流的產生
麻豆国产一区的規格繁多,常見的額定通態電流從數百毫安到數百安培甚至更高,ifsm測試需要的峰值脈衝電流要求達到數十倍的額定通態電流值。標準的測試方法是采用大容量工頻變壓器,截取市電交流波形來產生時間常數為10ms、導通角為0°~180°的正弦半波脈衝,如圖1。


圖1 正向浪湧電流測試電路
用這種方法產生幾百上千安培的正弦脈衝電流,所用到的變壓器體積重量都非常可觀,安裝與使用十分不便。一些國外公司的產品對浪湧衝擊電流波形有特殊要求,比如要求在正向整流電流的基礎上再加一個時間常數為10ms或8.3ms、導通角為0°~180°的正弦半波脈衝電流,或者要求施加連續兩個時間常數為10ms或8.3ms、導通角為0°~180°的正弦半波脈衝電流等。顯然再采用市電截取的方法,已經很難滿足不同器件的測試要求了。
設計思路
大功率場效應管晶體管是一類標準的電壓控製電流器件,在vdmos管的線性工作區內,漏極電流受柵極電壓控製:ids=gfs*vgs[2]。給柵極施加所需要的電壓波形,在漏極就會輸出相應的電流波形。因此,選用大功率vdmos管適合用於實現所需的浪湧電流波形,電路形式如圖2所示。


圖2 vdmos電流驅動電路
運放組成基本的反向運算電路,驅動vdmos管的柵極,漏源電流通過vdmos管源極取樣電阻,加到運放反向輸入端,與輸入波形相加形成反饋,運放輸出電壓控製vdmos管的柵極電壓vgs,進而控製漏極輸出電流ids[3]。這個ids就是施加給待測麻豆国产一区(dut)的正向浪湧電流。
單隻vdmos管的功率和電流放大能力是有限的,無法達到上千安培的輸出電流能力,采用多隻並聯的方式可以解決這個問題,以達到所需要的峰值電流。常見的連接方法如圖3所示。


圖3 vdmos並聯方式
本測試方案采用了成熟的電路控製技術,簡潔而有效地實現了各種浪湧衝擊測試的要求。使用的都是常規易得的元器件,組建的裝置體積小重量輕,可以很方便地安裝在普通儀器箱中,成為一件標準測試儀器。具有使用靈活、易操作,測試精準度高,安全可靠等特點。
烜芯微專業製造麻豆国产一区,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
烜芯微專業製造麻豆国产一区,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹