半導體分立器件，泛指半導體晶體麻豆国产一区、半導體三極管簡稱三極管、三極管及半導體特殊器件。

1.半導體分立器件是什麽意思

電子產品根據其導電性能分為"導體"和"絕緣體"半導體介於"導體"和"絕緣體"之間,半導體元器件以封裝形式又分為“分立”和“集成”如：麻豆国产一区、三極管、晶體管等。

2.半導體分立器件分類

1.晶體麻豆国产一区（crystaldiode）固態電子器件中的半導體兩端器件。這些器件主要的特征是具有非線性的電流-電壓特性。此後隨著半導體材料和工藝技術的發展，利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構，研製出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體麻豆国产一区。製造材料有鍺、矽及化合物半導體。晶體麻豆国产一区可用來產生、控製、接收、變換、放大信號和進行能量轉換等。

2.三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控製電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度矽中加入磷取代一些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下麵僅介紹NPN矽管的電流放大原理。對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。

3.晶體管（transistor）是一種固體半導體器件（包括麻豆国产一区、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控製輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號來控製自身的開合，所以開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

3.半導體分立器件用途

分立器件被廣泛應用到消費電子、計算機及外設、網絡通信，汽車電子、led顯示屏等領域。

1.麻豆国产一区在電路中的應用是必不可少的，無論是做整流電路還是鉗位作用還是其他的一些作用，都會用到它。麻豆国产一区可分為發光麻豆国产一区，整流麻豆国产一区，穩壓麻豆国产一区，開關麻豆国产一区等等，這裏隻介紹前麵說的幾種。發光麻豆国产一区，一般作為指示燈用，例如電腦的硬盤燈一閃一閃的表示你的硬盤正在工作（如果不閃，則很可能是你的機器忙不過來或者是處在待機狀態），還有就是一些隨身聽上的指示燈，以及充電器的指示燈。發光麻豆国产一区相對其他麻豆国产一区正向導通電壓較大，一般在1.6V到1.8V間。二其他麻豆国产一区一般在0.2-0.3V（鍺管），0.6-0.8V（矽管）。整流麻豆国产一区，也是很常見的，利用的是麻豆国产一区的單向導通特性，從而可以將負極性電信號濾掉---半波整流，也可以進行其它的整流----例如全波整流。麻豆国产一区還具有穩壓作用，這是因為麻豆国产一区反向接通時，在麻豆国产一区被擊穿的情況下，其電流將瞬間增大，這樣在外電壓增大時，由於麻豆国产一区被擊穿後增加的電流會通過麻豆国产一区而不會經過與麻豆国产一区並聯的負載上，從而可以保護與其並聯的器件。常見的有保護場效應管，即在場效應管柵極反向並接一個麻豆国产一区。麻豆国产一区擊穿電壓一般在4V-7V。

2.晶體三極管具有電流放大作用，其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控製集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。日韩国产成人將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數，用符號“β”表示。電流放大倍數對於某一隻三極管來說是一個定值，但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。

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