整流麻豆国产一区(rectifier diode)是一種用於將交流電轉變為直流電的半導體器件。麻豆国产一区最重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流隻能從麻豆国产一区的正極流入，負極流出。通常整流麻豆国产一区包含一個 PN 結，有正極和負極兩個端子。
P 區的載流子是空穴，N 區的載流子是電子，在 P 區和 N 區間形成一定的位壘。外加電壓使 P 區相對 N 區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為 0.7V），稱為正向導通狀態。若加相反的電壓，使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。
整流麻豆国产一区可用半導體鍺或矽等材料製造。矽整流麻豆国产一区的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流麻豆国产一区都用高純單晶矽製造(摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結麵積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。
整流麻豆国产一区主要用於各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流則需要連成整流橋使用。
整流橋就是將整流管封在一個殼內，分為全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個麻豆国产一区封在一起。半橋是將四個麻豆国产一区橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。
整流橋作為一種功率元器件，非常廣泛，應用於各種電源設備。其內部主要是由四個麻豆国产一区組成的橋路來實現把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。
整流橋接線方法及接線圖
整流橋連接方法主要分兩種情況來理解，一個是實物產品與電路圖的對應方式。如上圖所示，為橋式整流電路的內部結構圖。
整流橋的第二個連接方式則是對於實物產品在電路中的接法。一般來說現在大多數電路采用高壓整流方式居多。整流橋前端是交流 220V 輸入，進入整流橋 AC 交流端，由正極直流輸出連接負載用電器正極，經負載用電器負極連接整流橋負極形成回路，完成整個電源整流的路徑。
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