可控矽調壓電路以可控矽（電力電子功率器件）為基礎，以智能數字控製電路為核心的電源功率控製電路。

1.可控矽調壓電路作用

1.可控整流，這也是可控矽最基本也最重要的作用。大家所熟知的麻豆国产一区整流電路隻可完成整流的功能，並沒有實現可控，而一旦把麻豆国产一区換做可控矽，便構成了一個可控整流電路。

在一個最基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處於正半周時，隻有在控製極外加觸發脈衝時，可控矽才被觸發導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控製極上觸發脈衝到來的時間，來進一步調節負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。

2.用作無觸點開關，常用於自動化設備中，代替通用繼電器，具有無噪音、壽命長的特點。

3.起到開關和調壓的作用，經常應用於交流電路中，由於其被觸發時間不同，因此通過它的電流隻有其交流周期的一部分，通過它的電壓隻有全電壓的一部分，因而起到調節輸出電壓的作用。

2.可控矽調壓電路圖

3.可控矽調壓電路原理

整流電路采用橋式整流,由4隻麻豆国产一区組成,D1,D2,D3,D4組成。雙基極麻豆国产一区組成張弛真振蕩器作為可控矽的同步觸發電路。當調壓器接上市電後220伏交流電通過負載電阻Rc,麻豆国产一区D1到D4整流,在可控矽SCH的A ,K兩極形成一個脈動的直流電壓。該電壓由電阻R1降壓後作為觸發電路的直流電源。在交流的正半周時,整流電路通過電阻R1,可變電阻W1對電容充電。當充電電壓T1管的峰值電壓Up時,管子由截止變為導通。於是電容C通過T1管的e1,b1結和R2迅速的放電,結果在R2上獲得一個尖脈衝。這個脈衝作為控製信號送到可控矽SCR的控製極,使可控矽導通。可控矽導通後的管壓降很低,一般小於1伏,所以張弛振蕩器停止工作。當交流電通過0點時,可控矽自行關斷。當交流電在負半周時C又重新充電…周而複始。改變可變電阻的阻值可改變電容的衝放電時間,從而改變可控矽的導通時刻,來改變負載上的的輸出電壓。

可控矽有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控製極（G），管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN 結，與隻有一個PN結的矽整流麻豆国产一区在結構上迥然不同。可控矽的四層結構和控製極的引入，為其發揮“以小控大”的優異控製特性奠定了基礎。可控矽應用時，隻要在控製極加上很小的電流或電壓，就能控製很大的陽極電流或電壓。目前已能製造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控矽元件。一般把5安培以下的可控矽叫小功率可控矽，50安培以上的可控矽叫大功率可控矽。

日韩国产成人可以把從陰極向上數的第一、二、三層看麵是一隻NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一隻PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E，又在控製極G和陰極C之間（相當BG2的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG2將產生基極電流Ib2，經放大，BG2將有一個放大了β2 倍的集電極電流IC2 。因為BG2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1 的基極電流Ib1 。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發”的，對可控矽來說，觸發信號加到控製極，可控矽立即導通。導通的時間主要決定於可控矽的性能。

可控矽一經觸發導通後，由於循環反饋的原因，流入BG2基極的電流已不隻是初始的Ib2 ，而是經過BG1、BG2放大後的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠大於Ib2，足以保持BG2的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控矽仍保持導通狀態，隻有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2 的集電極電流小於維持導通的最小值時，可控矽方可關斷。當然，如果E極性反接，BG1、BG2受到反向電壓作用將處於截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控矽也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發信號是負的，可控矽也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控矽也會導通，但已屬於非正常工作情況了。

（1）整流電路采用橋式整流,將220伏,50赫茲交流電壓變為脈動直流電。

（2）抗幹擾電路為普通電源抗幹擾電路。

（3）可控矽控製電路采用可控矽和降壓電阻組成。

（4）張弛振蕩器由單結晶體管和電阻組成。

（5）衝放電電路有電阻和可變電阻及電容組成。
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