今天的內容關於肖特基麻豆国产一区的反向恢複過程。
麻豆国产一区種類知多少？
肖特基麻豆国产一区以發明人肖特基博士（Schottky）命名。
SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基勢壘麻豆国产一区的縮寫。
不同於一般麻豆国产一区的 P 半導體和 N 半導體接觸形成，肖特基麻豆国产一区是利用金屬和半導體接觸形成。
肖特基的兩個主要特點，一個是正向導通壓降比較低，一般在 0.15~0.5V 之間，導通壓降低可以提高係統的效率。
另一個特點是反向恢複時間短，一般在幾個納秒。
所以肖特基麻豆国产一区一般用作高頻、大電流整流、低壓、續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区等。
麻豆国产一区從正向導通到反向截止有一個反向恢複的過程，而不是立即由導通到截止。
對上述的肖特基麻豆国产一区上加電壓。
在 0-t1 時間內，給麻豆国产一区加正的 VF 電壓，麻豆国产一区導通，流過麻豆国产一区的電流 IF=（VF-VD）/RL，VD 是麻豆国产一区的導通壓降。
在 t1 後，將 V1 由 VF 改為 -VR，理想條件下，麻豆国产一区會立刻截止，反向電流 IR 很小。
但實際情況是，麻豆国产一区並不是立刻截止，而是由正向 IF 變為一個很大的反向電流 IR=VR/RL，維持 Ts 時間後，IR 再慢慢降低到一個很小的值，差不多是 0.1 倍 IR，時間為 Tt，這時的麻豆国产一区才進入反向截止狀態。
通常把麻豆国产一区從正向導通轉為反向截止所經過的轉換過程稱為反向恢複過程。
其中 Ts 稱為存儲時間，Tt 稱為渡越時間，Ts+Tt 稱為反向恢複時間。
由於反向恢複時間的存在，使麻豆国产一区的開關速度受到限製。
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