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肖特基麻豆国产一区的特點與肖特基麻豆国产一区作用介紹
  • 發布時間:2021-03-27 14:21:37
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肖特基麻豆国产一区的特點與肖特基麻豆国产一区作用介紹
肖特基(Schottky)麻豆国产一区,又稱為肖特基勢壘麻豆国产一区(簡稱 SBD),它屬於一種低功耗、超高速半導體器件。
這種器件是由多數載流子導電的,所以其反向飽和電流較以少數載流子導電的 PN 結大得多。由於肖特基麻豆国产一区中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為 RC 時間常數限製,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。
肖特基麻豆国产一区特點
1、正向壓降:肖特基麻豆国产一区的正向壓降比快恢複麻豆国产一区正向壓降低很多,所以自身功耗較小,效率高。
2、反向恢複時間短:其反向恢複時間極短(可以小到幾納秒),因此適宜工作在高頻狀態下。
3、耐電流大:能耐受高浪湧電流。
4、反向耐壓低:一般的肖特基管反向耐壓一般在 200V 以下,普遍在 100V 左右,這使得使用局限有限
5、抗高溫特性:目前市場上常見的肖特基管最高結溫分 100℃、125℃、150%、175℃幾種(結溫越高表示產品抗高溫特性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效)。
除了以上幾個特點外,SBD 還有如下的三方麵優點:①由於肖特基勢壘高度低於 PN 結勢壘高度,故其正向導通門限電壓和正向壓降都比 PN 結麻豆国产一区低(約低 0.2V)。②由於 SBD 是一種多數載流子導電器件,所以不存在少數載流子壽命和反向恢複問題;SBD 的反向恢複時間隻是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同於 PN 結麻豆国产一区的反向恢複時間。③由於 SBD 的反向恢複電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合於高頻應用。
但是,由於 SBD 的反向勢壘較薄,並且在其表麵極易發生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。另外,由於 SBD 比 PN 結麻豆国产一区更容易受熱擊穿,反向漏電流比 PN 結麻豆国产一区大。
肖特基麻豆国产一区的作用
SBD 的結構及特點使其適合於在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流,在非常高的頻率下(如 X 波段、C 波段、S 波段和 Ku 波段)用於檢波和混頻,在高速邏輯電路中用作箝位。在 IC 中也常使用 SBD,像 SBD TTL 集成電路早已成為 TTL 電路的主流,在高速計算機中被廣泛采用。
除了普通 PN 結麻豆国产一区的特性參數之外,用於檢波和混頻的 SBD 電氣參數還包括中頻阻抗(指 SBD 施加額定本振功率時對指定中頻所呈現的阻抗,一般在 200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲係數等。
肖特基麻豆国产一区肖特基麻豆国产一区
此外,肖特基麻豆国产一区最顯著的特點為反向恢複時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降僅 0.4V 左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区,也有用在微波通信等電路中作整流麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。
一個典型的應用,是在雙極型晶體管 BJT 的開關電路裏麵,通過在 BJT 上連接 Shockley 麻豆国产一区來箝位,使得晶體管在導通狀態時其實處於很接近截止狀態,從而提高晶體管的開關速度。這種方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型數字 IC 的 TTL 內部電路中使用的技術。
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