1.場效應管和三極管輸入電阻的差異。

2.場效應管是單極三極管是雙極區別之外。

3.解決問題方麵： 場效應管是電壓控製電流源，控製電壓和電流屬於不同的支路，因而電壓的求解一般不難（有時是與受控電流有關的表達式，課本129頁3－6），進而根據漏極電流表達式來求出電流值，然後進行模型分析，求出跨導和輸出電阻。 而三極管要先建立模型，然後進行電路分析，求解過程特別是計算很複雜，容易出錯； 總體而言，我覺得場效應管的分析要比三極管簡單一些。

4.極管和場效應管的比較可以歸納以下幾點： 一、在三極管中，空穴和自由電子都參與導電，稱為雙極型器件，用BJT表示；而場效應管隻有多子導電，稱為單極型器件，用FET表示。由於多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響，在環境變化劇烈的條件下，選用FET比較合適。 這也就是日韩国产成人通常所說的場效應管比較穩定的原因。 二、在放大狀態工作時，三極管發射結正偏，有基極電流，為電流控製器件，相應的輸入電阻較小，約103Ω；FET在放大狀態工作時無柵極電流，為電壓控製器件，輸入電阻很大，JFET的輸入電阻大於107Ω，MOS管的輸入電阻大於109Ω。 三、場效應管的源極和漏極在結構上對稱，可以互換使用(但應注意，有時廠家已將MOS管的源極與襯底在管內已經短接，使用時就不能互換)。對耗盡型MOS管的VGS可正、可負、可為零，使用時比較靈活。三極管的集電極和發射極一般不能互換使用。 四、在低電壓小電流狀態下工作時，FET可作為壓控可變線性電阻器和導通電阻很小的無觸點電子開關。 五、MOS管工藝簡單，功耗小，適合於大規模集成。三極管的增益高，非線性失真小，性能穩定。在分立元件電路和中、小規模集成電路中，三極管仍占優勢。 六、三極管的轉移特性(ic-vbe的關係)按指數規律變化，場效應管的轉移特性按平方規律變化，因此場效應管的非線性失真比三極管的非線性失真大。七、場效應管的三種基本組態電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發、共集和共基電路，由於場效應管的柵極無電流，所以輸入電阻R'i≈∞。跨導gm比三極管的小一個數量級，gm日韩国产成人可以用轉移特性求導得到

5.三極管可以說是電流控製電流源的器件，而電流是通過輸入電阻的大小來體現的；但場效應管是電壓控製電流源的器件

6.記住四種mos管的特性曲線的方法：隻需記住n溝道的emos管的曲線，它的Ｖgs是大於０的，且曲線呈遞增趨勢．而p溝道的emos的Ｖgs是小於０的，且呈現遞減趨勢．dmos的Ｖgs既有大於０的部分，又有小於０的部分，按照n溝道遞增，p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了

7.1）場效應管是電壓控製元件，而三級管是電流控製元件； 

2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導電，稱之為雙極性器件； 

3）場效應管靈活性比三級管好； 

4）場效應管的製造工藝更適合於集成電路。
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