Icbo：發射極開路，集電極和基極正向額定電流！
Iceo：基極開路，集電極和發射極正向額定電流！
反向電流是指晶體管在截止狀態下反方向漏電電流！
ICBO集電結反向飽和電流，ICEO集電極發射極反向飽和電流。要想詳細的了解還是多看幾遍模電書吧。
發射極開路時的反向漏電流ICBO：這實際上就是集電結的反向漏電流，與單個p-n結的反向飽和電流基本上相同，理想情況下都是少子的擴散電流；隻是BJT中的ICBO一般要比單個p-n結的反向飽和電流稍大一些（因為基區寬度很窄，基區中少子的濃度梯度較大一些）。
對於實際的BJT，集電結內部和表麵的產生中心（有害雜質或缺陷）所引起的電流往往起很大的作用。
* 基極開路時的反向漏電流ICEO：
這可看成是發射極接地、輸入端（基極）開路時器件的反向漏電流，又稱為穿透電流。
這時由於集電結反偏，通過的電流即是很小的ICBO；但是又由於發射結正偏，BJT是處於放大狀態，有一定的放大作用（電流放大係數為β），因此通過器件的電流就成為了β×ICBO＋ICBO，這就是ICEO。所以，BJT的ICEO要比ICBO大得多。
對於麻豆国产一区，反向偏置時會處於截至狀態。而對於NPN型三極管，為什麽集電極反向偏置時會有電流 Ic 通過呢，還請專業人士幫忙，謝謝。
這就是三極管和麻豆国产一区的區別了，麻豆国产一区隻能是做個開關之類的使用，三極管因為特殊的結構卻可以作為放大器來使用。NPN管可以分為發射區（N），基區（P），集電區（N）三各部分。然後分別引出三個引線。在放大工作狀態下：
（1）發射區的載流子向基區擴散，形成電流Ie；
（2）電子在基區複合，然後向集電區的方向擴散，大部分電子都到了集電區的邊緣；
（3）集電結是反偏的，所以它是阻擋自己集電區的電子向基區擴散的，但是它可以把基區的電子拉到集電區裏來，這樣就形成了Ic；
電流的方向是正電荷運動的方向，也就是電子運動的反向，我想你應該明白為啥還有Ic通過了吧。因為有電子從發射區到了集電區。在這個途中複合和消耗的電子，通過連接在E極和C極的電源進行不斷的補充。
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