各種麻豆国产一区的用途

１、檢波麻豆国产一区　

Ａ、用於檢波電路

Ｂ、用於鑒頻電路

Ｃ、用於鑒相電路

Ｄ、用於混頻電路

Ｅ、用於限幅電路

Ｆ、用於AGC電路 

Ｇ、用於測試電路

Ｈ、用於指示器電路

Ｉ、用於其它電路

２、變容麻豆国产一区

Ａ、用於調諧電路

Ｂ、用於倍頻電路

Ｃ、用於控製電路

Ｄ、用於其它電路

３、整流麻豆国产一区

Ａ、用於整流電路

Ｂ、用於供電電路

Ｃ、用於節電電路

Ｄ、用於照明電路

Ｅ、用於穩壓電路

Ｆ、用於測試電路 

Ｇ、用於控製電路

Ｈ、用於保護電路

Ｉ、用於指示器電路

Ｊ、用於其它電路

４、恒流麻豆国产一区

Ａ、用於穩流電路

Ｂ、用於充電電路

Ｃ、用於測試電路

Ｄ、用於放大電路

Ｅ、用於保護電路

Ｆ、用於其它電路

５、穩壓麻豆国产一区　

Ａ、用於穩壓電路 

Ｂ、用於延遲電路

Ｃ、用於保護電路

Ｄ、用於其它電路

６、雙向觸發麻豆国产一区

Ａ、用於調壓電路

Ｂ、用於控製電路

Ｃ、用於其它電路

７、發光麻豆国产一区

Ａ、用作指示燈 

Ｂ、用作指示器

Ｃ、用於顯示器

Ｄ、用於檢測電路

Ｅ、用於閃爍電路

Ｆ、用於整流電路

Ｇ、用於穩壓電路

Ｈ、用於其它電路

８、負阻發光麻豆国产一区

Ａ、用於過壓保護電路

Ｂ、用於其它電路

９、紅外發光麻豆国产一区

Ａ、用於發射器

Ｂ、用於接收器

10、肖特基麻豆国产一区

Ａ、用作逆變器的保護

Ｂ、用作開關電源續流

Ｃ、用作升壓麻豆国产一区

Ｄ、用作阻尼麻豆国产一区 

11、隧道麻豆国产一区

Ａ、用於高頻電路

Ｂ、用於單、雙穩態電路

Ｃ、用於保護電路

12、開關麻豆国产一区

Ａ、用於檢波電路

Ｂ、用於鉗位電路

Ｃ、用於抗幹擾電路

Ｄ、用於自動控製電路

Ｅ、用於保護電路

Ｆ、有於門電路

Ｇ、用於其它電路

13、矽電壓開關麻豆国产一区

Ａ、用於高壓發生器

Ｂ、用於脈衝發生器

14、光電麻豆国产一区

Ａ、用於光控電路

Ｂ、用於光信號放大

Ｃ、用於光／暗通光控

15、溫敏麻豆国产一区

Ａ、用於溫控電路

Ｂ、用於恒壓源電路

Ｃ、用於恒流源電路 

16、精密麻豆国产一区

Ａ、用於恒流源電路

Ｂ、用於恒壓源電路 

Ｃ、用於橋式對管測量

Ｄ、用於數字溫度測量

Ｅ、用於優質對數放大

Ｆ、用於晶體管線性化

Ｇ、用於熱敏電阻線性化

17、快恢複麻豆国产一区

Ａ、用於整流電路 

Ｂ、用於續流管　

Ｃ、用作升壓管　

Ｄ、用作阻尼管

Ｅ、用於其它電路　

18、雙向過壓保護麻豆国产一区

Ａ、用於保護電路

Ｂ、用於其它電路

常用麻豆国产一区

1．整流麻豆国产一区

整流麻豆国产一区結構主要是平麵接觸型，其特點是允許通過的電流比較大，反向擊穿電壓比較高，但PN結電容比較大，一般廣泛應用於處理頻率不高的電路中。例如整流電路、嵌位電路、保護電路等。整流麻豆国产一区在使用中主要考慮的問題是最大整流電流和最高反向工作電壓應大於實際工作中的值。

2．快速麻豆国产一区

快速麻豆国产一区的工作原理與普通麻豆国产一区是相同的，但由於普通麻豆国产一区工作在開關狀態下的反向恢複時間較長，約4～5ms，不能適應高頻開關電路的要求。快速麻豆国产一区主要應用於高頻整流電路、高頻開關電源、高頻阻容吸收電路、逆變電路等，其反向恢複時間可達10ns。快速麻豆国产一区主要包括快恢複麻豆国产一区和肖特基麻豆国产一区。

快恢複麻豆国产一区（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢複時間短特點的半導體麻豆国产一区，主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区或阻尼麻豆国产一区使用。 快恢複麻豆国产一区在製造上采用摻金、單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關速度，同時也能得到較高的耐壓。快恢複麻豆国产一区的內部結構與普通PN結麻豆国产一区不同，它屬於PIN結型麻豆国产一区，即在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。因基區很薄，反向恢複電荷很小，所以快恢複麻豆国产一区的反向恢複時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。目前快恢複麻豆国产一区主要應用在逆變電源中作整流元件，高頻電路中的限幅、嵌位等。 

肖特基（Schottky）麻豆国产一区也稱肖特基勢壘麻豆国产一区（簡稱SBD），是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎製成的麻豆国产一区，其主要特點是正向導通壓降小（約0.45V），反向恢複時間短和開關損耗小，是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用於開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流麻豆国产一区、續流麻豆国产一区、保護麻豆国产一区使用，或在微波通信等電路中作整流麻豆国产一区、小信號檢波麻豆国产一区使用。肖特基麻豆国产一区在結構原理上與PN結麻豆国产一区有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料製成的阻擋層）、二氧化矽（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型矽基片、N+陰極層及陰極金屬等構成，如圖所示：

在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

肖特基麻豆国产一区存在的問題是耐壓比較低，反向漏電流比較大。目前應用在功率變換電路中的肖特基麻豆国产一区的大體水平是耐壓在150V以下，平均電流在100A以下，反向恢複時間在10～40ns。肖特基麻豆国产一区應用在高頻低壓電路中，是比較理想的。 

3．穩壓麻豆国产一区

穩壓麻豆国产一区是利用PN結反向擊穿特性所表現出的穩壓性能製成的器件。穩壓麻豆国产一区也稱齊納麻豆国产一区或反向擊穿麻豆国产一区，在電路中起穩定電壓作用。它是利用麻豆国产一区被反向擊穿後，在一定反向電流範圍內反向電壓不隨反向電流變化這一特點進行穩壓的。穩壓麻豆国产一区通常由矽半導體材料采用合金法或擴散法製成。它既具有普通麻豆国产一区的單向導電特性，又可工作於反向擊穿狀態。在反向電壓較低時，穩壓麻豆国产一区截止；當反向電壓達到一定數值時，反向電流突然增大，穩壓麻豆国产一区進入擊穿區，此時即使反向電流在很大範圍內變化時，穩壓麻豆国产一区兩端的反向電壓也能保持基本不變。但若反向電流增大到一定數值後，穩壓麻豆国产一区則會被徹底擊穿而損壞。

穩壓麻豆国产一区根據其封裝形式、電流容量、內部結構的不同可以分為多種類型。穩壓麻豆国产一区根據其封裝形式可分為金屬外殼封裝穩壓麻豆国产一区、玻璃封裝（簡稱玻封）穩壓麻豆国产一区和塑料封裝（簡稱塑封）穩壓麻豆国产一区。塑封穩壓麻豆国产一区又分為有引線型和表麵封裝兩種類型。

穩壓管的主要參數有：

①穩壓值VZ 。指當流過穩壓管的電流為某一規定值時，穩壓管兩端的壓降。

②電壓溫度係數 。穩壓管的穩壓值VZ的溫度係數在VZ低於4V時為負溫度係數值；當VZ的值大於7V時，其溫度係數為正值；而VZ的值在6V左右時，其溫度係數近似為零。目前低溫度係數的穩壓管是由兩隻穩壓管反向串聯而成，利用兩隻穩壓管處於正反向工作狀態時具有正、負不同的溫度係數，可得到很好的溫度補償。

③動態電阻rZ。表示穩壓管穩壓性能的優劣，一般工作電流越大，rZ越小。

④允許功耗PZ。由穩壓管允許達到的溫升決定，小功率穩壓管的PZ值為100～1000mW,大功率的可達50W。

⑤穩定電流IZ。測試穩壓管參數時所加的電流。實際流過穩壓管的電流低於IZ時仍能穩壓，但rZ較大。

穩壓管的最主要的用途是穩定電壓。在要求精度不高、電流變化範圍不大的情況下，可選與需要的穩壓值最為接近的穩壓管直接同負載並聯。在穩壓、穩流電源係統中一般作基準電源，也有在集成運放中作為直流電平平移。其存在的缺點是噪聲係數較高，穩定性較差。
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