圖（a）所示電路中，VF1是一次側主MOSFET，來自PWM集成控製器的脈衝使其通／斷工作。為使VF2的通／斷時間與VF1相反，增設雙向延時電路S1。現假設VF1為截止狀態，VF2為導通狀態，吸收電容Cr充電到VF1的漏極－源極間電壓，由此，也吸收加在VF1上的浪湧電壓。在由延時電路確定的延時時間後VF2截止，但這時，Cr兩端電壓等於加在VF1上的電壓，因此，為零電壓和零電流開關器件斷開方式。

VF1截止後，二次側麻豆国产一区VD2的電流降為零，變壓器無勵磁能量。此時一次主繞組N1感應的回掃電壓變為零，以高於C1上電壓進行充電的吸收電容C1對一次主繞組N1反向放電，這樣，放電電流經VF2的寄生麻豆国产一区（虛線所示）流通。Cr放電開始時，VF2必須截止。由於Cr放電，電容Cr與一次主繞組的電感Lp產生諧振。

（a）原理電路；（b）實用電路

圖 控製吸收電容充放電的電路圖

若VF2為導通狀態，諧振繼續衰減振蕩，但VF2截止狀態時，電容Cr兩端電壓為零時振蕩停止。若Cr停止諧振，則以VF1和VF2的輸入較小容量電容繼續產生較短周期的諧振。VF1再度導通時，軔小電容放電電流流經VF1本身而消耗掉。VF1導通時，其小容量電容充電的電壓隨導通時間而改變，但Cr兩端電壓降到最低電壓，因此，可以減小Cr產生的損耗。也就是說，即使采用較大容量的電容Cr損耗也不會增大。

圖（a）所示為采用VF2寄生麻豆国产一区使Cr放電形式的電路。一般的M0S－FET寄生麻豆国产一区恢複特性不適宜高頻，因此，增設低耗麻豆国产一区作為電容放電麻豆国产一区，即圖（b）中的麻豆国产一区VD1。為使放電電流全部流經麻豆国产一区VD1，在VF2回路中增加了逆阻斷麻豆国产一区VD2．逆阻斷麻豆国产一区VD2的耐壓大於VD1的正向壓降即可，因此，選用肖特基麻豆国产一区（SBD）。另外，雙向延時元件宜采用可飽和電抗器，延時元件和YF2的輸入電容共同決定延時時間，需要較長延時時間時，可在柵極增接電容。輸出電流一減小，VF1的導通時間就變短。這導通時間若短於延時時間，則VF1截止後，VF2導通，因此，VF1漏極－源極間電壓UDS的波形偏離正常波形，功耗也稍增大。為降低最小輸出電流，延時時間要非常短，這樣，就不能充分有效利用電容Cr。這裏，作為大致目標，最小輸出電流設定為最大輸出電流的2％～3％。
烜芯微專業製造麻豆国产一区，三極管，MOS管，橋堆等20年，工廠直銷省20%，4000家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什麽需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹