早期的麻豆国产一区
早期的麻豆国产一区包含“貓須晶體”(Cat's Whisker Crystals)和真空管(ThermionicValves)。
1904年，英國物理學家弗萊明根據“愛迪生效應”發明了世界上第一隻電子麻豆国产一区——真空電子麻豆国产一区。它是依靠陰極熱發射電子到陽極實現導通。
電源正負極接反則不能導電，它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。早期電子麻豆国产一区存在體積大、需預熱、功耗大、易破碎等問題，促使了晶體麻豆国产一区的發明。
晶體麻豆国产一区
又稱半導體麻豆国产一区。1947年，美國人發明。在半導體麻豆国产一区內部有一個PN結和兩個引出端。
這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。現今最普遍的麻豆国产一区大多是使用半導體材料如矽或鍺。
晶體麻豆国产一区結構
晶體麻豆国产一区的核心是PN結，關於PN結首先要了解三個概念。
本征半導體：指不含任何摻雜元素的半導體，如純矽晶片或純鍺晶片。P型半導體：摻雜了產生空穴的含較低電價雜質的半導體，如在本征半導體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導體。
N型半導體：摻雜了產生空穴的含較低電價雜質的半導體，如在本征半導體中矽Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導體。
由P型半導體和N型半導體相接觸時，就產生一個獨特的PN結界麵，在界麵的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。
當外加電壓等於零時，由於PN結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的PN結。
以PN結為核心結構，加上引線或引腳形成單向導電的麻豆国产一区。
當外加電壓方向由P極指向N極時，導通。
晶體麻豆国产一区分類
晶體麻豆国产一区可按材料不同和PN結結構不同，進行分類。
01點接觸型麻豆国产一区
點接觸型麻豆国产一区是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。
其PN結的靜電容量小，適用於高頻電路。因為構造簡單，所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用範圍較廣的類型。與麵結型相比較，點接觸型麻豆国产一区正向特性和反向特性都差，因此不能使用於大電流和整流。
製作工藝：將細鋁絲的一端接在陽極引線上，另一端壓在摻雜過的N型半導體上。加上電壓後，細鋁絲在接觸點處融化並滲入融化部分的中。這樣，接觸點實際上是P型半導體，並附著在N型半導體上形成PN結。
02麵接觸型麻豆国产一区
麵接觸型麻豆国产一区的“PN結”麵積較大，允許通過較大的電流(幾安到幾十安)，主要用於把交流電變換成直流電的“整流”電路中。麵接觸型晶體麻豆国产一区比較適用於大電流開關。
平麵型麻豆国产一区
平麵型麻豆国产一区是一種特製的矽麻豆国产一区，得名於半導體表麵被製作得平整。最初，對於被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平麵型稱為外延平麵型。
在半導體單晶片(主要地是N型矽單晶片)上，擴散P型雜質，利用矽片表麵氧化膜的屏蔽作用，在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因PN結合的表麵被氧化膜覆蓋，穩定性好和壽命長。
它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用於開關、脈衝及高頻電路中。
晶體麻豆国产一区主要特性
麻豆国产一区的伏安特性曲線如下：
外加電壓Uw方向為P→N時，Uw大於起動電壓，麻豆国产一区導通；
外加電壓Uw方向為N→P時，Uw大於反向擊穿電壓，麻豆国产一区擊穿。
晶體麻豆国产一区性能參數
最大整流電流Idm：麻豆国产一区連續工作允許通過的最大正向電流；電流過大，麻豆国产一区會因過熱燒毀；大電流整流可加裝散熱片。
最大反向電壓Urm：Urm一般小於反向擊穿電壓，選規格以Urm為準，並留有餘量；過電壓易損壞麻豆国产一区。
反向飽和電流Is：麻豆国产一区外加反向電壓時的電流值；Is反向擊穿前很小，變化也很小；Is會隨溫度的升高而升高，一般地，常溫下矽管Is<1μA，鍺管Is=30~300μA。
最高工作頻率Fm：指麻豆国产一区能保持良好工作特性的最高工作頻率。
不同用途的麻豆国产一区差異
01整流麻豆国产一区
大部分麻豆国产一区所具備的電流方向性日韩国产成人通常稱之為“整流(Rectifying)”功能，將交流電能轉變為直流電能。
麵接觸結構，多采用矽材料，能承受較大的正向電流和較高的反向電壓。性能較穩定，但因結電容較大，不宜工作在高頻電路中，所以不能作為檢波管使用。有金屬和塑料封裝。
02檢波麻豆国产一区
檢波麻豆国产一区是用於把疊加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。
鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。
類似點觸型那樣檢波用的麻豆国产一区，除用於檢波外，還能夠用於限幅、削波、調製、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩隻麻豆国产一区組合件。
多采用玻璃封裝或陶瓷外殼封裝，以獲得良好的高頻特性。
03開關麻豆国产一区
開關麻豆国产一区是半導體麻豆国产一区的一種，是為在電路上進行“開”、“關”而特殊設計製造的一類麻豆国产一区。它由導通變為截止或由截止變為導通所需的時間比一般麻豆国产一区短。
開關麻豆国产一区的勢壘電容一般極小，這就相當於堵住了勢壘電容這條路，達到了在高頻條件下還可以保持好的單向導電性的效果。
開關麻豆国产一区從截止(高阻狀態)到導通(低阻狀態)的時間叫開通時間；從導通到截止的時間叫反向恢複時間；兩個時間之和稱為開關時間。一般反向恢複時間大於開通時間，故在開關麻豆国产一区的使用參數上隻給出反向恢複時間。開關麻豆国产一区的開關速度是相當快的，像矽開關麻豆国产一区的反向恢複時間隻有幾納秒，即使是鍺開關麻豆国产一区，也不過幾百納秒。
開關麻豆国产一区具有開關速度快、體積小、壽命長、可靠性高等特點，廣泛應用於電子設備的開關電路、檢波電路、高頻和脈衝整流電路及自動控製電路中。
04穩壓麻豆国产一区
穩壓麻豆国产一区，是指利用PN結反向擊穿狀態，其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象，製成的起穩壓作用的麻豆国产一区。
穩壓麻豆国产一区的伏安特性曲線的正向特性和普通麻豆国产一区差不多，反向特性是在反向電壓低於反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿。
05變容麻豆国产一区
變容麻豆国产一区(Varactor Diodes)又稱"可變電抗麻豆国产一区"。材料多為矽或砷化镓單晶，並采用外延工藝技術。
它一種利用PN結電容(勢壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依賴關係及原理製成的麻豆国产一区，其結構圖如下。
變容麻豆国产一区的作用是利用PN結之間電容可變的原理製成的半導體器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。
變容麻豆国产一区屬於反偏壓麻豆国产一区，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，結電容則越少，反向偏壓與結電容之間的關係是非線性的。
變容麻豆国产一区的電容值與反向偏壓值的關係圖解：
反向偏壓增加，造成電容減少；
反向偏壓減少，造成電容增加；
反偏電壓愈大，則結電容愈小。
06發光麻豆国产一区
發光麻豆国产一区簡稱為LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物製成。
當電子與空穴複合時能輻射出可見光，因而可以用來製成發光麻豆国产一区。砷化镓麻豆国产一区發紅光，磷化镓麻豆国产一区發綠光，碳化矽麻豆国产一区發黃光，氮化镓麻豆国产一区發藍光。因化學性質又分有機發光麻豆国产一区OLED和無機發光麻豆国产一区LED。
07阻尼麻豆国产一区
阻尼麻豆国产一区類似於高頻、高壓整流麻豆国产一区，其特點是具有較低有電壓降和較高的工作頻率，且能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。
阻尼麻豆国产一区主要用在電視機中，作為阻尼麻豆国产一区、升壓整流麻豆国产一区或大電流開關麻豆国产一区使用。
08麻豆国产一区芯組
整流橋堆(半橋、全橋)：
高壓矽堆(多個矽麻豆国产一区串聯)：
麻豆国产一区的檢測
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